台积电与阳明交大实现0.42纳米MoS₂界面突破

台积电与阳明交大在原子级半导体工艺取得突破，实现0.42纳米二硫化钼（MoS₂）界面。该成果将制程叙事推进到原子尺度，为后硅时代晶体管与超薄沟道器件奠定基础，同时引发对ASML光刻霸权及无掩模革命路线的讨论，半导体进入三线烧钱模式。