台积电实现0.42纳米二维材料晶体管界面突破

台积电企业研究部与阳明交通大学合作，在单层MoS₂晶体管中实现0.42纳米铝氧化物界面，兼具强栅极控制与电子传输保护，为后硅时代晶体管微缩提供物理基础。目前仍处实验室阶段，距离量产需解决大面积转移、接触电阻、CMOS集成等难题。该突破标志台积电在二维材料技术上抢先卡位。