台积电0.42nm二维材料界面层突破

台积电在0.42nm节点实现MoS₂二维材料界面层突破，为延续摩尔定律提供新路径，也标志硅基微缩逼近物理极限。该技术将与ASML光刻及无掩模路线形成竞争，影响下一世代先进制程与设备路线选择。