台积电0.42nm二维材料制程突破

台积电在二维材料领域取得重大突破，研发出0.42纳米MoS₂界面层制程技术，昭示硅基芯片微缩逼近物理极限。该技术有望在传统制程受限于物理规律后继续延续性能提升，但量产与成本挑战巨大，同时与ASML光刻路线及无掩模技术路线形成竞争，制程、电力与互连三线烧钱模式启动。