台积电0.42nm二维材料突破

台积电在二维材料界面层实现0.42纳米级突破，标志着硅基制程微缩逼近物理极限。该技术或为后硅时代延续摩尔定律提供新路径，也引发对ASML光刻路线与无掩模工艺未来走向的激烈讨论。