台积电0.42nm二维材料界面层突破

台积电在0.42纳米制程实现MoS₂二维材料界面层突破，昭示硅基微缩逼近物理尽头。该技术或影响下一代晶体管架构，对ASML光刻路线形成潜在挑战，半导体进入制程、电力与互连三线烧钱周期。