台积电0.42纳米二维材料制程突破

台积电在MoS₂二维材料界面层技术上实现0.42纳米突破，标志着硅基制程微缩逼近物理极限。该技术为后硅时代的关键路径，与ASML光刻路线形成互补与竞争，推动半导体产业进入制程、电力与互连三线并行的重资本烧钱周期。