三星公布zHBM三阶段路线图

三星在Hot Chips大会上由DRAM设计团队披露通向zHBM的三阶段HBM演进路线图，终点是将DRAM直接垂直堆叠在GPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。宣称相较标准HBM4E可实现70%功耗降低、230%带宽提升，每DRAM模组节省100W功耗，并为GPU释放8.3%额外功率空间。三星已将D1c与4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die。