三星发布zHBM三阶段HBM路线图

三星在Hot Chips 2026大会上披露HBM三阶段演进路线图，终点为zHBM：将DRAM直接垂直堆叠于GPU/TPU之上，取消2.5D中介层。宣称相较标准HBM4E，功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W功耗，为GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段HBM4的Base Die采用D1c存储工艺+4nm逻辑工艺。