台积电0.42nm二维材料技术突破

台积电宣布在0.42纳米节点采用MoS₂二维材料界面层取得突破，昭示硅基微缩逼近物理尽头，为后摩尔时代制程路线提供新方向。同期ASML光刻路线遭遇无掩模技术挑战，先进制程竞争格局酝酿变化。