存储芯片地缘格局产业观察评论分析· 4217 字· 约8分钟阅读

韩系秀HBM4E,长江存储在偷家

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AI编辑团队AI 原创内容
2026-10-16 08:33 发布· 本文由作者与AI协作完成
本内容由人工智能生成,仅供研究参考,不构成投资建议。
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SEDEX 2026上三星与SK海力士亮出16Gbps的HBM4E,并在zHBM、HBF上押注下一代存储层级;同期长江存储NAND营收份额一年从9%升至14%,跃居全球前列;SK海力士则以美设厂换设备出口许可。技术、格局、地缘三线交汇,存储牌桌正面临重排。

10月14日至16日,首尔江南区COEX会展中心,SEDEX 2026半导体展的三天里,存储行业同时发生了两件事:三星电子与SK海力士把第七代HBM4E摆上展台,单引脚速率冲到16Gbps;同一周,Counterpoint的报告里,长江存储的全球NAND营收份额一年内从9%干到14%。

一个在技术维度上军备竞赛,一个在格局维度上换座次,还有一条暗线藏在华盛顿的批文里。这三条线,正在把存储行业推向2027年之前最关键的一次重排。

🚀 16Gbps:HBM4E的贴身肉搏

在AI时代,内存引脚上的每一Gbps,都是议价权。

先把参数摆上桌。三星电子的HBM4E采用10纳米级第六代(1c)DRAM搭配4纳米制程基础裸片,单引脚传输速率14Gbps、最高16Gbps,较HBM4提升超过20%;最高带宽达3.6TB/s,12层堆叠版本容量48GB,比上代多出30%以上。8层32GB与16层64GB版本已在计划中,12层版本今年5月就已完成对全球客户的送样。

SK海力士的牌面同样不虚:最高传输速率同样达到16Gbps,能效较HBM4提升逾20%,热阻降低约17%。工艺上,它押注的是自家的先进MR-MUF工艺,配合新一代接口与设计优化压低数据传输延迟,12层48GB版本6月已向主要客户送样并进入性能验证阶段。

指标三星 HBM4ESK海力士 HBM4E
单引脚速率14–16Gbps最高16Gbps
较HBM4提升速率超20%能效超20%
热阻—降低约17%
带宽最高3.6TB/s—
堆叠方案12层48GB送样,规划8层32GB、16层64GB12层48GB送样验证中
关键工艺1c DRAM + 4nm基础裸片MR-MUF

注意一个细节:两家送样时点只差一个月。据多位接近供应链的人士观察,这种贴身肉搏的节奏,在HBM这个品类上并不多见——通常一代产品总有一家先跑半个身位。

产业逻辑很直接:HBM已经从GPU的"配件"变成了AI算力BOM里最贵的一行。当瓶颈从先进制程转移到内存带宽,三星与SK海力士的迭代节奏差半步,就意味着一整代订单的归属。这代HBM4E,谁也不敢松手。

🧊 zHBM:三星把内存摞到了逻辑头上

与其在旧赛道上跑得更快,不如把赛道掀了重画。

三星这次真正值得盯的,不是HBM4E本身,而是展台上的zHBM概念产品:把HBM垂直堆叠在处理单元之上,大幅缩短数据传输路径。再结合下一代晶圆键合技术,zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上,能效提升3倍。

传统HBM通过中介层与GPU"并排而坐",数据要走中介层、走硅通孔,路径长、功耗高。zHBM的思路是把存储直接压在逻辑裸片正上方,用晶圆键合把"内存—逻辑"的距离压到微米级。这本质上是把先进封装从工艺问题升级成了架构问题——一旦键合良率跨过临界点,内存墙的解法就不再只靠堆层数。

云端之外,三星也没放过边缘侧:面向边缘AI的LPDDR-PIM把算力塞进内存,zNAND-O方案则冲着端侧AI的数据存取效率去。一句话,三星的叙事是"从云端到边缘的垂直化"。

产业判断:HBM4E是当下,zHBM是下下代的入场券。晶圆键合这个环节,未来几年会从封测厂的配角,变成决定存储巨头技术话语权的主战场之一。

🧲 HBF:SK海力士想在HBM和SSD之间造一层楼

存储器缺的从来不是容量,而是合适的层级。

SK海力士给出的答案是HBF(高带宽闪存):融合HBM的速度与NAND的容量,在HBM与SSD之间构建一个全新存储层级,目标容量约为HBM的10倍。更关键的是,HBF采用UCIe开放接口标准,可以灵活集成到GPU与CPU等不同处理器平台上。

SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中给出了一组判断:预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍;AI推理需求正从复杂度、上下文长度、请求量三个维度同步增长。

这三个维度翻译成存储语言就是:上下文越长,KV Cache越大,HBM装不下;请求量越大,成本越敏感,全上HBM又太贵。HBF瞄准的,正是这个夹层空档。

产业逻辑上,UCIe开放接口是精心设计的生态卡位:HBM的接口话语权长期掌握在标准组织和少数玩家手里,HBF直接绑定开放互连标准,等于邀请GPU与CPU厂商一起定义这个新层级。历史上每一次存储层级的重构——从内存到闪存、从HDD到SSD——都是绕开存量竞争的机会窗口。SK海力士显然想当这一次的规则制定者。

📈 长江存储:一年从9%到14%

份额不会说谎,尤其是在涨价周期里。

根据Counterpoint Research最新的存储市场追踪,2026年第二季度,长江存储按NAND出货量排名升至全球第三,仅次于三星电子和SK海力士,超过铠侠和美光;若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算,排名更是升至第二位。

营收维度的变化更猛:2025年Q1至2026年Q1,长江存储的全球NAND营收份额从9%升至14%,增幅超过五成,是同期主要NAND厂商中营收份额增长最快的厂商。Counterpoint高级分析师Jeongku Choi的评语相当直白:在AI推动NAND行业进入超级周期的背景下,长江存储已成为增长最快的厂商;尽管面临地缘政治影响,其在能力和产能方面的投资依然审慎且有效,2026年营收增速有望达到行业及同业增速的6倍。

长江存储全球NAND营收份额
● 2025Q1● 2026Q1
长江存储
14

增长引擎非常明确:面向AI数据中心的企业级SSD。长江存储抓住了价格上涨与国内需求上升的双重上行周期——而在此之前,它一直未能充分获取企业级SSD的溢价,现在正在补上这一课。Counterpoint预计,其服务器相关业务营收占比将从2024年的几乎为零,增长至2028年的近39%。

把格局放到一张图上看更清楚:

产业判断:长江存储证明了一件事——在存储这个资本密集行业,"技术跟随+产能审慎+需求卡位"同样能跑出超高增长。地缘约束反而让它聚焦国内数据中心市场,握住了一块别家吃不到的蛋糕。

⚖️ 大连厂:设备许可与美设厂的交易

在存储行业,设备出口许可有时候比光刻机还稀缺。

路透社10月14日引述两名知情人士称,SK海力士正寻求华盛顿批准,向中国出口更多在美国制造的晶片设备,并以此为在美设厂增产的前提。背景是特朗普政府正向SK海力士和三星电子等外国晶片制造企业施压,要求它们在美设厂,以重建美国制造业产能和就业。

具体方案浮出水面:在全球存储晶片短缺推高售价的背景下,SK海力士美国子公司Solidigm希望在母公司大连厂的未使用空间安置新设备制造NAND闪存晶片。大连厂目前使用泛林集团、应用材料和科磊三家美国设备商的产品,新设备能否进厂,卡在出口许可上。Solidigm希望以在美国开设NAND闪存厂为条件,换取额外的设备出口批准。截至报道发出,SK海力士未回应置评请求,Solidigm拒予置评,美国商务部也未回复。

2026年7月

SK海力士登陆纳斯达克

2026年9月

彭博披露Solidigm拟最快明年赴美IPO

2026年10月

路透披露设厂换设备出口方案

2027年

Solidigm IPO或落地 估值或达1500亿美元

资本线也在同步推进:彭博社上月引述知情人士称,Solidigm正考虑最快于明年在美国进行IPO,路透则引述知情者称,此次上市可能使Solidigm估值达到1500亿美元。

客观拆解,这是一笔典型的"产能换许可"交易:对华盛顿,它换来美国本土NAND产能与就业叙事;对SK海力士,它换来大连厂扩产的门票;对资本市场,纳斯达克上市加上Solidigm IPO,提供了美元融资通道。存储是地缘敏感度相对较低、但资本最重的品类——正因为NAND短缺推高售价,这个扩产窗口才格外珍贵。三方各取所需,前提只有一个:批文批得下来。⚠️

结语:三线交汇,座次重排

SEDEX 2026的三天,其实是存储行业三条主线的交汇点:技术上,HBM4E之后,三星与SK海力士已经把筹码押向zHBM和HBF这两个下一代层级;格局上,长江存储用一年时间从9%到14%,出货量坐三望二;地缘上,设备许可与设厂承诺正在被摆上同一张谈判桌。

2027年的存储牌桌,座次大概率要重排。而决定座次的,不再只是堆叠层数——还有晶圆键合的良率、企业级SSD的溢价能力,以及华盛顿批文的速度。