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进入1.4nm节点比台积电更快：Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现
📋总体概括
Intel 14A（1.4nm级）工艺进展超预期：据披露，今年6月其D0缺陷密度已达0.5水平，按原节奏本应2027年才达到，相当于提前约一年，官方目标2027年Q1做到D0 0.1-0.2。CFO称14A顺利程度是22nm以来罕见。对比18A周期，14A整体领先3-4个季度，量产有望提前至2028年上半年甚至Q1。D0直接决定良率：0.1以下小芯片良率超90%，而0.5意味着大芯片仅约10%良率，尚不具备量产条件，Intel仍需快速爬坡。
⚡关键信息
- ▸Intel 14A工艺今年6月D0缺陷密度已达0.5，按原计划应2027年才实现，相当于提前约一年
- ▸官方目标2027年Q1将D0降至0.1-0.2，CFO称进展之顺利为22nm以来未见
- ▸D0决定良率：400-800mm2的AI大芯片在D0 0.5时良率仅约10%，D0<0.1可达65-75%
- ▸对比18A工艺周期，14A进度整体领先3-4个季度，量产或提前至2028上半年甚至Q1
- ▸18A/18A-P只是追平台积电，14A才是Intel真正赶超台积电1.4nm节点的关键一役
🔥犀利点评
Intel这次终于拿数据说话而非口号：D0提前一年到0.5确实罕见，但别急着欢呼——0.5对应大芯片10%良率，离量产还差一个数量级。从0.5压到0.1-0.2才是真正的生死线，历史上Intel在10nm、7nm节点都栽在爬坡上。14A真正的看点是PowerVia和高NA EUV能否协同兑现，以及外部代工客户敢不敢押注。台积电1.4nm（A14）也在推进，这场翻身仗远未定局。
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