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SK hynix Boosts Leading-Edge 1c DRAM Production to a Dominant Position
📋总体概括
SK海力士正在加速向第六代10纳米级1c DRAM节点转移产能。据最新报道，1c节点占其DRAM产出的比例将从2026年一季度的10%提升至四季度的34%，并在2027年一季度达到约35%，超越第五代1b节点（33%），成为其占比最高的主力制程。这一产能切换节奏显示SK海力士凭借EUV技术积累在先进DRAM上持续拉开身位，巩固其在HBM等高端存储领域对竞争对手的领先优势。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c DRAM占比从2026年Q1的10%升至Q2的约13%，Q3预计达24%
- ▸2026年Q4将有超过三分之一（34%）的DRAM产自1c节点
- ▸2027年Q1的1c占比约35%，超越1b节点的33%成为第一大主力制程
- ▸DRAM制程依靠EUV等方式在10纳米级别上逐代演进，与逻辑制程命名体系不同
- ▸快速切换产能体现SK海力士在先进DRAM上扩大对竞争对手的技术领先
🔥犀利点评
这份产能切换时间表与其说是技术公告，不如说是对竞争对手的宣战书。一年内把1c占比从10%拉到35%，这种节奏只有HBM订单拿到手软的玩家才敢玩——毕竟先进节点意味着良率风险和资本开支双重压力。SK海力士敢这么激进，本质是AI存储需求给了它定价权，用制程优势把三星和美光锁死在追赶位置上。存储行业的竞争，从来不是谁先量产，而是谁先把旧产能变成包袱。
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