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阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级,计划2031年建立试产线
📋总体概括
阿斯麦与台积电联合成立行业合作计划,推动高NA EUV光刻的光罩从6英寸升级到12英寸,目标是提升晶圆厂生产效率、降低成本并消除光罩拼接限制。双方规划2031年建立12英寸光罩试产线,2033年推动12英寸高NA EUV光刻系统进入先进制程量产;台积电则预计自2030年起在先进制程大规模量产中引入ASML高NA技术。这一时间表勾勒出高NA EUV从导入到全面产业化的路径,也意味着光罩供应链需提前多年同步扩尺寸。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦与台积电成立行业合作计划,推动高NA EUV光罩从6英寸升级至12英寸
- ▸目标为提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除光罩拼接限制
- ▸双方计划2031年建立12英寸光罩试产线,2033年推动配套光刻系统量产
- ▸台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术
🔥犀利点评
光罩尺寸升级是高NA EUV真正落地的前置工程——EUV曝光场不变,但高NA把可用场面积砍掉一半,不搞拼接就得靠大光罩,成本和良率压力全甩给光罩供应链。2030年导入、2031年试产线、2033年量产,这条时间线并不激进,反而说明高NA在 Intel 之外普及要到下个十年。光罩厂、基板材料商能否跟上6到12英寸的跳跃,才是真正的瓶颈。
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