阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”

📋总体概括

阿斯麦9月8日连发三条公告，宣布与台积电、三星、英特尔共同推进下一代高数值孔径（High NA）EUV光刻技术：台积电计划2030年起将High NA用于先进制程量产，三星拟2028年前率先用于DRAM量产，英特尔已处理超100万片相关技术晶圆。三星还表示将推动12英寸光掩模取代使用数十年的6英寸掩模，以突破当前约800平方毫米单次曝光面积对大型数据中心芯片的限制，为英伟达等AI芯片需求提供产能与技术保障。