TSMC to start using High-NA EUV lithography in 2030 — A10 or A11 technology prime candidates for use

📋总体概括

台积电首次明确路线图：计划于2030年在先进制程中引入High-NA EUV光刻技术，A10或A11节点成为首批应用候选，并计划在2033年配套采用6×12英寸光罩与新扫描设备。这一时间表意味着台积电将继续以设备迭代领先追赶者，High-NA EUV单价与光罩成本极高，其导入节奏将直接影响3nm之后各代芯片的成本结构与量产窗口，也为与三星、Intel的技术竞赛再定锚点。