(PR) TSMC and ASML Announce Initiative to Pioneer Industry Transition to Large-Format Photomasks for High NA EUV

📋总体概括

台积电与ASML宣布合作倡议，推动行业从6英寸EUV光掩膜向12英寸大尺寸掩膜转型。High NA EUV初期仍采用现有6英寸掩膜投产，但更大掩膜可进一步提升晶圆厂生产率、降低制造成本并消除拼接约束，帮助先进芯片制造商充分释放High NA EUV优势，使未来各代前沿芯片更具成本效益。此次合作将带动掩膜材料、设备与检测等整个供应链向新规格迁移，是High NA EUV量产路径上的关键产业布局。