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HBM’s Second Act: When Memory Starts Thinking
📋总体概括
三星在Hot Chips 2026上发表题为「HBM基础裸片：HBM如何借助先进逻辑工艺演进」的演讲，提出HBM堆叠底部的base die将从单纯的数据通路层，升级为可承担逻辑处理功能的运算层。这意味着内存与逻辑工艺的融合正在加速，HBM不再只是带宽管道，而可能承载部分计算任务，对AI算力架构、内存厂商技术路线和与代工厂的竞争格局都有深远影响。
⚡关键信息
- ▸三星在Hot Chips 2026演讲主题为「HBM基础裸片：HBM如何借助先进逻辑工艺演进」
- ▸传统HBM base die仅负责将堆叠DRAM连接至GPU、TPU等处理器，是纯通信层
- ▸三星主张base die采用先进逻辑工艺制造，从连接层演变为具备运算能力的功能层
- ▸base die逻辑化意味着HBM可承载部分计算，模糊内存与逻辑芯片的边界
🔥犀利点评
base die从「搬运工」变「运算工」，这是HBM演进的必然一步：DRAM工艺撑不起逻辑功能，只有引入先进逻辑工艺才能解锁近存计算的真正价值。三星此时高调布道，既是技术路线宣示，也是对SK海力士HBM领先地位的反击——谁的base die逻辑能力强，谁就能绑定下一代AI芯片客户。但代价是与台积电的关系更微妙：逻辑工艺越先进，内存厂和代工厂的边界就越模糊，合作与竞争将同时加剧。
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