ASML and TSMC Announce Initiative to Pioneer Industry Transition to Large-Format Photomasks for High NA EUV

📋总体概括

台积电与ASML联合宣布，将共同推动半导体行业向更大尺寸的光罩（photomask）格式过渡，以支持High NA EUV极紫外光刻技术的应用。光罩是光刻的关键耗材，随着High NA EUV镜头数值孔径增大，单次曝光面积缩小，行业需通过更大的光罩格式来覆盖更大曝光区域、维持芯片良率与成本效率。此举意味着EUV生态系统的核心标准正在被重新定义，台积电与ASML试图在2nm以下工艺竞争中锁定技术路线话语权。