NUS CDE Researchers Develop Atom-Thin Carbon Insulator for Next-Generation Microchips

📋总体概括

新加坡国立大学设计与工程学院（NUS CDE）研究团队开发出一种原子级厚度的碳基绝缘薄膜，有望突破下一代微芯片在速度与能效提升上的关键瓶颈。随着制程微缩逼近物理极限，栅极介质与层间绝缘材料的漏电和功耗问题日益突出，原子级超薄绝缘体被视为延续摩尔定律的重要方向之一。该成果以碳为绝缘材料，为后硅时代的芯片材料体系提供了新选项，但距离产业化仍有距离。