材料
SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”
📋总体概括
SemiAnalysis指出，3D NAND层数突破约300层后，钨字线因电阻高、氟基工艺漏电及深孔填充困难遭遇瓶颈，钼凭更低电阻、无氟工艺和更佳高深宽比填充能力成为必选材料。当前铠侠/闪迪218层、美光276层、三星286层、SK海力士321层领跑，行业正向3xx至4xx层跃迁。
⚡关键信息
- ▸3D NAND约十年前放弃横向缩小，靠垂直堆叠提升密度，300层以上钨字线遭遇电阻、漏电与填充三大瓶颈
- ▸钼以更低电阻、免氟基工艺、高深宽比填充优势替代钨，属技术必然而非优化
- ▸SK海力士以321层居首，三星286层、美光276层、铠侠/闪迪218层，行业迈向3xx-4xx层
- ▸SemiAnalysis强调：钼不是优化，是300层以上NAND的必选项
🔥犀利点评
材料卡脖子时刻：层数竞赛尽头，比的是谁先换好钼。
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