SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”

<p style="text-align: left;">8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）转型的技术逻辑。</p> <p style="text-align: left;">3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）遭遇了物理瓶颈：<strong>电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。</strong></p> <p style="text-align: left;">SemiAnalysis在推文表示：<strong>“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”</strong></p> <p style="text-align: left;">与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。</p> <p style="text-align: left;"><img class=" wscnph" src="https://wpimg-wscn.awtmt.com/8e190c76-f0ec-460b-a792-c7cc1a91ab77.png" /></p> <h2 style="text-align: left;">行业现状：量产仍在2xx层，转折点已至</h2> <p style="text-align: left;">SemiAnalysis梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠/闪迪（Kioxia/SanDisk）处于218层，美光（Micron）276层，三星（Samsung）286层，SK海力士以321层处于行业前沿。</p> <p style="text-align: left;">向3xx至4xx层的跃迁正在启动。SemiAnalysis估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。</p> <h2 style="text-align: left;">三大厂商全面押注</h2> <p style="text-align: left;">主要NAND制造商均已明确承诺转向钼工艺，时间表清晰：</p> <p style="text-align: left;"><strong>三星</strong>是先行者，钼字线产品自2024年起已进入量产阶段。</p> <p style="text-align: left;"><strong>美光</strong>于2025年在Lam Research的ALTUS Halo设备上启动大规模量产。</p> <p style="text-align: left;"><strong>SK海力士</strong>计划于2026年底推出采用钼工艺的375层NAND。</p> <p style="text-align: left;"><img class=" wscnph" src="https://wpimg-wscn.awtmt.com/02ced262-b57c-448c-9c33-1297c1966da8.png" /></p> <h2 style="text-align: left;">设备商：超10亿美元的新增市场</h2> <p style="text-align: left;">每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。</p> <p style="text-align: left;">受益格局方面，Lam Research最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI及中国设备商Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。</p><div style="color: #666; margin-bottom: 15px;">风险提示及免责条款</div> <div> 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。 </div>