韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士

📋总体概括

韩国《朝鲜日报》9月10日报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储已启动第四代HBM3试产，但初期良率仅停留在25%，远低于行业公认80%的量产黄金线，而SK海力士自2022年量产同类产品后良率已超90%。报道将瓶颈指向TSV硅通孔技术：长鑫G4工艺的普通DRAM本身没问题，难在芯片堆叠时的TSV钻孔与铜填充。韩媒还对比称长鑫每颗芯片TSV约3000个，低于三星HBM2的5000+和SK海力士HBM3的8000+，并强调TSV诀窍需多年积累。