Beyond Thickness: Using Picosecond Ultrasonic Technology For SiCr Process Control In BCD Devices

📋总体概括

Semiconductor Engineering发布技术文章，探讨在BCD功率器件的SiCr（硅化铬）薄膜工艺中，仅靠厚度量测已不足以实现有效控制的问题。文章提出利用皮秒超声波（Picosecond Ultrasonic）技术，在测量薄膜厚度的同时同步获取反射率数据，从而提升对沉积工艺变异的可视化能力，为先进BCD工艺的良率与器件一致性控制提供新的量测思路。