京都大学打造可承受600°C高温、且兼容标准晶圆厂的晶体管 — 标准离子注入与底栅设计解决漏电与电压漂移

📋总体概括

京都大学团队利用标准离子注入工艺和底栅结构，研制出可在600°C（873K）高温下持续工作的碳化硅晶体管，并解决了高温下的漏电和阈值电压漂移两大顽疾。关键在于该器件采用与标准半导体产线兼容的制造方式，无需特殊工艺，这意味着SiC高温器件有望从实验室特制品走向常规晶圆厂量产，对航空航天、地热勘探、喷气发动机传感等极端环境应用具有直接意义。