SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

📋总体概括

SK海力士宣布目标在2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻工艺应用于DRAM大规模生产。此前ASML刚联合台积电、三星、英特尔推动High NA EUV生态向12英寸掩膜迁移，SK海力士正评估是否加入该联盟。同期，三星也确认计划2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，美光则计划为1δ（第7代10nm级）DRAM导入最新一代EUV设备。三大存储原厂均加速EUV路线图竞赛，先进光刻成为DRAM竞争的新分水岭。