SK海力士力推混合键合HBM5：AI内存撞上775微米厚度天花板，公司延续MR-MUF工艺至Nvidia Rubin平台

📋总体概括

SK海力士确认将把混合键合技术推向HBM5代际，同时延长自研MR-MUF先进封装工艺的服务周期至Nvidia Rubin平台时代。核心约束在于：HBM堆栈总厚度被限制在775微米，即300毫米逻辑晶圆的标准厚度，这成为AI内存继续向更高层数堆叠的物理天花板。混合键合通过直接铜-铜连接取代微凸点，可在相同厚度内实现更多层数与更高带宽密度，被视为突破该限制的关键路径。此番表态表明SK海力士在HBM4之后的技术路线上同时押注两条封装路线，以巩固对三星、美光的领先身位。