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科研团队实现埃米级原子滑移,撬动千万倍电阻变化
📋总体概括
中科院半导体所团队通过二维范德华异质结界面工程,实现埃米级(0.1纳米)原子层滑移即可触发千万倍电阻变化,攻克了滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题。相关成果9月11日发表于《科学》。该器件若完善大规模阵列与配套电路,有望用于手机、电脑等终端的更快、更低功耗数据存储与运算,为存算一体架构落地和缓解算力与功耗矛盾提供新方案。
⚡关键信息
- ▸中科院半导体所利用二维范德华异质结界面工程,实现0.1纳米尺度原子滑移调控电阻
- ▸仅埃米级滑移即可撬动千万倍电阻变化,开关比指标突出
- ▸团队攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的行业难题
- ▸成果9月11日发表于国际期刊《科学》,具备基础研究突破性质
- ▸应用方向指向存算一体架构,瞄准更快速度、更低功耗的终端存储与运算
🔥犀利点评
千万倍开关比加埃米级滑移,这是实打实发在《科学》上的硬成果,含金量无需怀疑。但也要泼点冷水:单个器件性能漂亮和大规模阵列可用之间隔着工程化的万水银河,配套电路、良率、耐久性验证都还是未来时。国内存算一体赛道不缺论文,缺的是能流片的器件,这一步什么时候跨过去,才算真正撬动产业。
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