Characterizing Charge Components In TMD-based MOS Structures (imec, KU Leuven, ASM)

📋总体概括

imec、KU Leuven与ASM联合发表技术论文，系统剖析二维过渡金属硫化物（TMD）基MOS器件中的电荷组成。研究指出界面陷阱、氧化物边缘陷阱和移动载流子等多种可变电荷共同贡献器件总电容，并对这些分量进行定量化表征。该工作为TMD材料走向2nm以下先进逻辑器件的MOSFET栅叠层开发提供了关键的电学表征方法论，是三方产学研协作在二维半导体器件物理与工艺评估方向的重要进展。