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Molybdenum Quasi Phase-Only Masks Improve EUV Imaging (NYCU, TSMC)

SemiEngineering·2026/9/11 21:28:44🔗 原文

📋总体概括

阳明交通大学与台积电联合发表论文,提出以钼为基础的「准纯相位掩模」技术,通过高反射率、低吸收的钼材料重构EUV相移掩模设计,据称可实现高对比度EUV成像。该研究基于严格电磁仿真验证,被视为EUV PSM技术的范式转变,若落地将直接影响先进制程光刻分辨率与掩模产业链。

关键信息

  • 阳明交通大学与台积电联合发表EUV掩模技术论文,聚焦钼基准纯相位掩模
  • 钼材料具备高反射率与极低吸收特性,用于提升EUV成像对比度
  • 研究称此举为EUV PSM技术的范式转变,经严格电磁仿真验证
  • 成果发表于Semiconductor Engineering等行业媒体,尚处研究论文阶段

🔥犀利点评

把掩模从「吸收型」逻辑推向「相位型」逻辑,确实是光刻物理层面的聪明思路——EUV光源贵得离谱,每一点被掩模吸收掉的光子都是浪费。但论文级仿真到量产掩模之间隔着材料均匀性、缺陷控制和掩模厂工艺链三座大山,ASML/Zeiss体系未必欢迎颠覆式改动。台积电下场说明其确实在为High-NA之后的分辨率焦虑寻找出路,值得跟踪但别急着下注。

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