长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

📋总体概括

长鑫科技在三季度业绩交流会上披露存储技术进展：第五代工艺平台已量产，主力产品为245Ball与496Ball封装的LPDDR5X，单片晶圆裸片产出较第四代提升至少50%；基于4F²垂直沟道架构的第六代平台完成工程样片验证，年底将送样首款4F²架构DDR5 RDIMM，优先落地服务器市场；LPDDR6实现量产。这表明长鑫正以4F²架构和VSG晶体管、晶圆键合堆叠等技术缩小与海外DRAM龙头的代际差距。