存储大变局:AI抢货、长存补血、周期顶狂飙
存储大变局:AI抢货、长存补血、周期顶狂飙
一、单季55%:一场「没有增量、只有涨价」的盛宴
先说结论:这轮NAND行情,不是需求驱动的良性增长,而是典型的供给约束型暴涨。
背景不复杂。2026年上半年,全球NAND市场走出了存储行业史上罕见的斜率。据Counterpoint数据,2026年Q1全球NAND市场规模环比增长90%,Q2又环比增长70%。连续两个季度的爆发式增长,第一直觉是需求井喷,但数据拆开看完全不是那么回事——增长几乎完全由价格上涨驱动,出货量贡献微乎其微。
价格端有多疯?Q2单季NAND合约价环比上涨55%,这是Counterpoint给出的落地数字。而在半年前,TrendForce对同一时间段的预估是涨幅70%至75%——头部研究机构早就嗅到了烈度。群联CEO的警告更直白:六个月之内,NAND价格已经翻倍。半年翻倍、单季55%,是同一轮行情在不同观察尺度上的投影,逻辑完全自洽。
| 时间窗口 | 关键数据 | 来源 |
|---|---|---|
| 2026年Q1 | NAND市场规模环比增长90% | Counterpoint |
| 2026年Q2 | NAND市场规模环比增长70% | Counterpoint |
| 2026年Q2 | 合约价单季环比上涨55% | Counterpoint |
| 同期预估 | 涨幅70%~75% | TrendForce |
| 近六个月 | 价格近乎翻倍 | 群联CEO警告 |
产业判断很清晰:当市场增长几乎100%由价格贡献时,说明供给端已经完全失去弹性——原厂把能卖的产能都卖出去了,价格涨多少,收入就涨多少。这是「没有增量、只有涨价」的盛宴。份额座次上,三星以28%的收入份额继续领跑,SK海力士、美光分列二三,但真正的变量不在座次,而在产能流向了哪里。
关键问题只有一个:这轮供给弹性消失,是谁造成的?答案在下一段。
二、AI是抽水机:消费级SSD的连锁塌方
背景是需求结构的剧烈迁移。素材给出的因果链非常明确:AI基础设施正在吞噬原本会流向消费级SSD的NAND供应。企业和超大规模买家在为AI服务器囤积大容量闪存,而存储原厂也乐于顺水推舟——因为企业级业务的利润率远高于零售级硬盘。
数据层面,这个迁移已经有明确的微观证据。据多位接近原厂渠道的人士透露,企业级大容量订单现在基本是「先款后货」,消费级客户排在其后。一个消费级SSD品牌采购团队的体感是:从原厂拿货周期越来越长,报价越来越高,而对面数据中心客户的采购经理,正带着以PB为单位的订单在原厂门口排队。
短缺的外溢效应还在扩散。AI基础设施的扩张同步收紧了NAND与HDD市场:META在TLC SSD与HDD之间测试低成本QLC SSD后发现性能改善,促使超大规模数据中心更广泛采用SSD;HDD被AI需求拉动出现短缺,QLC SSD开始填补新的存储层级,甚至替代缺货的HDD。注意这个反身性:HDD越缺,QLC需求越旺,NAND产能被抽得越狠,消费级市场越冷。
涨价压力甚至传导到了算力侧。英伟达已向客户预警15%的涨价——内存成本的失控,正在反噬整个AI硬件的成本模型。这就是存储作为「系统本体」的议价权:当美光CEO Sanjay Mehrotra公开表示客户需求超出公司供给约50%时,买卖双方的强弱关系已经彻底倒挂。
产业逻辑一句话:抽走闪存的不是AI本身,而是AI背后那些出手阔绰的超大规模买家。他们买走的每一PB,都是消费级用户账单上多出来的几十块钱。短期看,这个虹吸没有对冲机制。
三、HBM现货涨7倍:十年没建厂的账,现在一起算
背景要从Hot Chips大会说起。存储分析师Jim Handy在会上抛出一组扎眼数据:HBM现货价格较此前水平上涨约7倍,而每片晶圆产出的GB数只有标准DDR的三分之一。同期,三星、美光、SK海力士与英伟达密集披露路线图,议题高度收敛于三点:HBM正从标准化商品走向定制化平台;三维垂直堆叠成为共同方向;散热与功耗成为首要瓶颈。
供给侧的历史欠账是这轮行情的根源。Jim Handy点破行业老底:过去十余年,工艺微缩足以满足位元增长,DRAM供应商几乎没做过大规模产能扩张。新建一座晶圆厂,即便按激进时间表推进,也需要约两年。需求是今年爆的,产能是十年前就该建的——这就是缺口的时间差。
| 维度 | HBM | 标准DDR |
|---|---|---|
| 每片晶圆产出GB数 | 约为DDR的1/3 | 基准水平 |
| 需求来源 | AI加速器、网络组件 | 传统服务器、PC |
| 现货价格变化 | 上涨约7倍 | 相对温和 |
| 新增产能周期 | 约2年起步 | 同样受限 |
美光HBM设计架构师Ragu从物理层面量化了代价:典型封装里放4个12层HBM堆栈,内存硅片总量约为GPU硅片的8倍——系统级封装中约90%的硅片与内存相关。而一个DRAM裸片失效,就可能拖垮整个封装。他引用META公布的Llama 3研究数据:约17%的非预期训练中断归因于HBM。可靠性不是纸面风险,是烧着数亿美金电费的训练集群每天在付的学费。
三星的答案最激进:将HBM基础底片从通信层演进为定制化AI平台,并披露ZHBM概念——把HBM直接垂直堆叠在XPU之上,目标是总DRAM功耗较HBM5降低约70%,绝对功耗降幅超过100W,带宽提升2.3倍以上。另一边,英伟达实验室已拥有至少三款RVA23处理器,并完成CUDA在RISC-V硬件上的首次公开演示,为第三方定制CPU接入NVLink Fusion生态给出落地路径。
还有一个人性层面的判断值得记住。Jim Handy驳斥了「算法效率提升会压低硬件需求」的流行论断:当一项新技术把内存需求降低6倍,超大规模云厂商的典型反应是用相同预算处理6倍的Token,而不是削减资本开支。效率改变的是AI基础设施的生产力,未必减少流入其中的资金总量——这意味着HBM的供需缺口,短期内看不到自动收敛的机制。
四、长存控股330亿IPO:踩在周期钟摆的最高点
背景是8月21日深夜,上交所受理了长存控股的IPO申请,拟募资330亿元,由中信证券与中信建投联席保荐。这个数字一举超过长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元,刷新科创板纪录。更罕见的节奏是:8月19日辅导状态刚变更为「辅导验收」,两天后即报会。据多位接近保荐机构的人士透露,部分外资机构甚至在受理前就询问战配额度的可能性——一个项目还没过会就被抢额度,在科创板不算常见。
招股书的数字比募资额更刺眼。2026年一季度,长存控股营收470.42亿元,归母净利润333.79亿元,净利率超过70%——平均每天净赚3.7亿元。作为对比,全球NAND龙头三星电子存储业务在周期顶部的营业利润率通常也不过40%上下。单季利润超过2024、2025两年之和,是标准的「存储周期反转」曲线。
| 报告期 | 主营业务收入(亿元) | NAND Flash收入(亿元) | 归母净利润(亿元) |
|---|---|---|---|
| 2023年 | 187.47 | 141.02 | 亏损 |
| 2024年 | 452.03 | 398.80 | 67.71 |
| 2025年 | 631.85 | 566.60 | 142.11 |
| 2026年Q1 | 470.42 | 452.38 | 333.79 |
募资结构在说话:330亿元中,208亿投向长江存储量产线技术升级,122亿投向研发,制造端比研发端多出86亿。这不是拿去买地建新厂,而是砸向现有产线的良率、层数、I/O速度和产能弹性。说明长存管理层判断:当前最迫切的不是缺需求,而是把已验证的技术快速转化为可量产的先进产能——二期已经满产,三期正在推进,缺的是弹药。
产业逻辑有三层。第一,存储是重资产、强周期的逆周期投资游戏:行业亏损时扩产、行业暴利时储备现金。按发行估值约3300亿元计算,对应2026年一季度年化净利润的市盈率仅约2.5倍——但这个数字建立在周期顶点,不具备线性外推的意义。第二,截至2026年3月31日,长存累计亏损仍余约34亿元,过去三年的利润在快速回补历史欠账。第三,时点本身就是策略:当前NAND价格因AI需求处于高位,IPO窗口比前两年好得多。长存在用「好年景」补「历史欠账」,而存储周期从不手软——若行业转入下行,估值和后续融资都会承压。上市不是终点,是下一轮技术军备竞赛的发令枪。
五、产业链深度拆解:一台印钞机的上下游解剖
背景:要看懂长存的333亿单季利润,必须拆开整条NAND产业链。存储IDM的特殊性在于,长存这类厂商横跨了传统分工里的设计、制造、封测三段,产业链的利润分配高度集中在 wafer 环节,而上游设备材料恰恰是地缘约束最紧的地方。
上中下游逐层看。
上游(原材料与核心部件):包括硅片、光刻/刻蚀/薄膜沉积设备、特种气体与EDA/IP。这一环节的价值量占比在NAND产线投资中最高,一条月产数万片的12英寸NAND产线,投资动辄数百亿元,其中设备占大头。代表性公司方面,设备端由海外巨头主导,材料端的国产代表是沪硅产业——其2026年上半年300mm硅片销量同比增长超九成、收入增36%,但亏损却扩大至9.65亿元,国产硅片「以价换量」的困境一目了然。卡脖子环节就在这里:招股与公开信息反复提及,国产存储受制于设备、材料、EDA等环节的外部限制,产能爬坡和良率提升比预期艰难。一位接近交易的人士说得很直白:330亿对重资产存储只是「开胃菜」,真正的考验是设备材料国产化进度。国产化进度上,硅片在放量、设备在验证、EDA仍薄弱,整体处于「能用但不全好用」的阶段。
中游(制造与集成):即3D NAND晶圆制造与封装集成,长存控股是国产主力平台,全球NAND厂排名第三(出货+金额口径)。其Xtacking架构是国产存储第一次定义技术路线的样本。中游拿走了本轮周期绝大部分增量利润:2026年Q1长存NAND Flash收入452.38亿元,占主营业务收入的96%,净利率超70%。卡脖子点是前沿层数的设备获取与工艺优化——这正是208亿募资投向量产线技术升级的原因。
下游(应用与渠道):分为企业级/数据中心(eSSD、大容量NAND)、消费级(SSD、嵌入式存储、手机闪存)与渠道市场。本轮周期中,数据中心拿走了绝大部分产能——企业级订单先款后货、利润率远高于零售级,是三巨头和长存共同的最优解。消费级则承受涨价与缺货的双重挤压。全球格局上,三星以28%收入份额居首,SK海力士、美光分列二三,长存控股位列第三梯队头部并持续上攻。
| 环节 | 代表性公司 | 本轮周期表现 | 卡脖子程度 | 国产化进度 |
|---|---|---|---|---|
| 上游·硅片 | 沪硅产业 | 300mm销量增超九成,半年亏损扩大至9.65亿元 | 高 | 放量中,仍亏损 |
| 上游·设备材料 | 海外巨头主导 | 出口管制约束产能爬坡 | 极高 | 验证替代推进中 |
| 中游·NAND制造 | 长存控股、三星、SK海力士、美光 | 合约价单季涨55%,IDM净利率最高超70% | 中(工艺自研) | Xtacking自主架构 |
| 下游·企业级 | 三星、SK海力士、美光、长存 | 先款后货,利润率最高 | 低 | 长存企业级上量 |
| 下游·消费级 | 模组厂、品牌商 | 拿货难、报价涨 | 低 | 受挤压最重 |
产业逻辑:这条链上,利润在中游 wafer 环节高度集中,风险在上游设备材料高度集中。长存的330亿,本质是想用中游的暴利周期,去填上游的历史欠账——这是国产存储未来五年的主战场。
六、资本与地缘重排:三国杀里的新博弈
背景是三则几乎同时砸下的消息:长存控股科创板IPO获受理拟募330亿元;SK海力士被曝将首次赴日建内存厂;美光CEO Sanjay Mehrotra公开表示客户需求超出公司供给约50%。表面是三家企业的资本动作,背后是存储芯片从「周期品」变「战略资产」的深层变局。
先看资本端最戏剧性的一幕。韩国证券存托结算院(KSD)旗下SEIBro数据显示,截至8月18日,过去一个月韩国投资者净买入最多的A股,是一只连ISIN国际证券识别编码都没有的科创板新股——本地代码688825的长鑫科技,一个月净买入4532.22万美元(约合3.0753亿元人民币),登顶A股净买入榜首,甚至超过了同期韩资买入力度最大的港股中际旭创(4427万美元)。买入节奏是爬坡式的:7月27日未进前50大,7月28日上市次日即现身净买入前列,8月18日登顶。
路径也值得玩味。长鑫科技仅在上交所科创板交易,尚未纳入沪港通,韩国投资者只能走QFI这条窄门:申请合格境外投资者资格→韩国券商下单→KSD提交结算指令(因无ISIN码只能用临时虚拟代码顶上)→成交科创板688825。互联互通是「顺手买」,QFI是「专门买」——编码是行政流程,判断是市场本能,资本从来比流程跑得快。
再看产能端的地缘重排。东京以北300多公里的宫城县,据韩国《韩民族日报》报道,SK海力士正推进建设内存晶圆厂,投资规模达数十万亿韩元,SK集团会长崔泰源已亲赴考察。若落地,SK海力士将成为继美光、台积电之后第三家在日本设厂的外国半导体企业。关键判断是:日本工厂不是替代国内项目,而是在龙仁、湖南数百万亿韩元集群按原计划推进之外的额外产能——HBM订单排得太满,产能压力让人没得选。日本有材料和设备供应链的深厚积累与激进补贴,但代价是地缘复杂度陡增:美国已就本土内存晶圆厂投资持续向韩国施压,赴日建厂可能激化美方不满。
最后看美国端。美光需求超供给50%、英伟达预警涨价15%,说明美国阵营的存储产能同样见顶。产业逻辑一句话:全球存储正从「扩产—过剩—降价」的旧循环,切换为「AI结构性需求+地缘分散化产能」的新博弈——中国在IPO补血,韩国在日韩之间腾挪,美国在缺货焦虑中向盟友施压。产能即话语权,资本即弹药,三条战线同时开打。
结语
把六条线索拧成一股绳,结论只有一句:存储芯片正在脱离周期品的旧剧本,进入AI战略基础设施的新叙事。NAND单季55%的涨幅、HBM现货7倍的暴涨,本质是同一个信号——供给弹性消失,价格成为唯一的调节阀;长存控股的330亿IPO和韩资对长鑫科技的抢跑式买入,则是资本在为这个新叙事定价。但要保持清醒:长存71%的净利率建立在周期顶点,2.5倍的年化市盈率不具备线性外推意义,设备材料的国产化短板也非一次融资能补齐。前瞻地看,未来12个月的关键变量有三个:AI资本开支能否延续、三星ZHBM等定制化路线对供给结构的重塑、以及地缘管制的边际变化。周期从不手软,但这一次,牌桌上坐着的玩家和押上的筹码,都和上一轮不一样了。
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