内存不翻倍涨了,但先别急着高兴
📋 总体概括
过去一年内存闪存翻倍式涨价在下半年踩下刹车,Q4闪存甚至持平。但长协锁定、绝对价位高位、AI需求未证伪,价格回归遥遥无期。本文拆解涨速崩盘背后的定价逻辑、NAND格局洗牌与3D-DRAM对HBM的架构挑战。
📄 正文
内存涨速崩了,价格却稳如泰山。
过去一年,内存和闪存的涨价曲线像坐了火箭——内存普遍涨了5-10倍,闪存少说3-5倍。而进入今年下半年,据TrendForce、摩根士丹利等多方数据,这场翻倍式涨价终于要踩刹车了:Q3涨幅滑落到个位数到两位数之间,Q4闪存甚至大面积持平。
但先别高兴太早。崩的是涨速,不是价格。绝对价位依然在历史高位,且供给端已用长协锁盘,短期内看不到回归的可能。这篇文章,我们把这笔账算清楚。
📉 崩的不是价格,是价格的加速度
先看场景:一家PC整机厂的采购经理,今年Q1拿DRAM现货价时,报价单每周都在刷新,环比涨幅一度冲过110%;到了Q3,同样的询价,供应商回复的涨幅已经是10%这个量级了。
这就是2026年存储市场的真实体感。数据如下:
| 季度 | 内存/闪存环比涨幅(约) | 状态 |
|---|---|---|
| 2026 Q1 | 110%以上 | 几乎翻倍,最猛 |
| 2026 Q2 | 50%-60% | 高位续涨 |
| 2026 Q3 | 10%-20% | 涨速骤降 |
| 2026 Q4 | 内存3%-8%,闪存大面积持平 | 接近停滞 |
值得注意的细节是:Q3、Q4都是预估值,且存在新旧两版预测。最新预测中,Q3涨幅反而比旧预测往上微调了一点,属于个位数层面的修正;Q4的新预测也没有下调多少,闪存大部分持平,内存继续小涨。
产业逻辑怎么读?第一,二阶导崩盘不等于价格崩盘。环比涨幅从110%滑到3%-8%,是加速度归零,但一年的涨幅叠加下来,整体价位依然悬在高位。第二,市场普遍维持此前判断——2027年上半年价格达峰,这个预测目前看依然可信。第三,涨速放缓本身是供给端和需求端再平衡的信号,但它更像是涨价的「软着陆」,而不是下跌的前奏。
一句话:媒体标题里的「崩盘」,崩的是涨速。你装机要花多少钱,另说。
🔥 普涨看价格,本事看市占
涨价是所有人的普涨,市占才是各自的本事。
Counterpoint Research 9月3日公布了按收入计算的2026年Q2 NAND闪存市场数据:全球NAND营收环比扩张70%,其中主要驱动力是55%的环比价格上涨。换句话说,这一季NAND厂商的营收增长,七成靠涨价,而非放量。
格局排位如下:
pie title 2026Q2 NAND收入市占
三星电子 : 28
SK海力士 : 19
美光 : 15
长江存储 : 14
铠侠 : 14
闪迪 : 11
几个看点值得展开:
- 三星电子以28%稳居第一,SK海力士以19%守住第二,两家的HBM与NAND双线布局在涨价周期里再次验证了规模与产品结构的溢价能力。
- 美光凭借快速上涨的销售价格拿下15%,跻身第三——这说明其产品组合正在向高价值区间迁移,而不只是跟着大盘走。
- 最值得注意的是长江存储与铠侠:两家均维持了上季度14%的水平。在一个价格剧烈波动、筹码向头部HBM倾斜的周期里,守住份额本身就是一种防守能力的证明。
- 闪迪以11%收尾。
产业逻辑上,涨价周期的一个隐秘规则是:当价格由供给端主导时,份额的波动远小于价格本身的波动。真正决定位次的,是产能纪律和高价值产品占比。这也是为什么Q2这场70%的营收盛宴里,榜单几乎没有洗牌——涨幅是共有的,护城河才是自己的。
🧱 HBM的护城河,正被人从头顶打穿
另一条线上,有人正在挑战这场涨价游戏的根基——HBM。
Hot Chips 2026上,美国AI芯片初创d-Matrix详细介绍了其Raptor 3D-DRAM生成式AI推理加速器:用台积电N4逻辑裸片与3D-DRAM「面对面」堆叠,把内存直接压在计算芯片下方。
数字相当有冲击力:
| 指标 | Raptor 3D-DRAM | 对比 HBM4 方案 |
|---|---|---|
| 单卡容量/带宽 | 32GB,超100TB/s | 192GB,约18TB/s |
| 垂直IO能耗 | 0.37pJ/bit | 约为HBM的十分之一 |
| 单位面积带宽 | 32.6GB/s/mm² | 约HBM4的20倍 |
| 每GB/s功耗 | 2.96mW | 40mW,改善13.5倍 |
架构长这样:
它瞄准的是AI推理的「内存墙」:大模型解码阶段,每个token都要反复读取权重和KV缓存。d-Matrix给出的测算很直观——64个并发用户、100万token上下文下,KV缓存占用高达935GB。带宽和容量,就是推理成本的天花板。
对存储产业的含义要冷静看:Raptor单卡32GB对192GB,容量上完全不是一个量级,它打的是单位带宽和能效,直指推理场景,而非训练场景。但据多位接近产业人士的看法,如果垂直堆叠路线在推理市场跑通,DRAM的需求结构会发生质变——从「堆更多HBM」转向「把DRAM堆到算力下面」。这对英伟达主导的HBM叙事,是一次绕后,不是正面强攻。
这也是存储玩家必须盯紧的远期变量:涨价赚的是当下的钱,架构路线赚的是下一个周期的定价权。
⚠️ 长协一签,暴跌的故事就讲不动了
为什么涨速都崩了,价格还下不来?答案在供给端的合同结构里。
据了解,三星电子、SK海力士及美光等原厂已把大量订单转向LTA长期协议——价格签死,交付锁周期。这意味着即便现货端情绪松动,合约盘也稳住了基本面。按目前的节奏,这种状态至少要持续到2028年。
把整个周期串起来看:
- 2026 Q1-Q2:环比翻倍与50%-60%的狂飙阶段,涨幅见顶
- 2026 Q3-Q4:涨速崩盘,内存3%-8%,闪存大面积持平
- 2027 上半年:价格达峰(维持此前预测,可信度较高)
- 2027-2028:LTA长协存续期,价格高位横盘
- 2028 之后:价格能否真正回落,取决于两个条件
哪两个条件?素材里说得很直白:一是AI是不是真的崩了,二是产能是不是真的过剩了。两个条件同时达成,才可能推动内存价格暴跌回归——参照系就是当年的矿卡市场:矿难一来,卡价应声跳水。在那之前,高位横盘是基准剧本。
供给端的定价权逻辑其实很朴素:原厂在AI服务器需求上尝到了足够厚的利润,没有动机主动扩产砸价;而LTA把未来两三年的不确定性提前变现。买方市场变卖方市场,谈崩盘确实早了点。
🔮 谁该焦虑,谁该淡定
回到下游,这轮行情的痛感分布极不均匀。
这轮涨价覆盖PC、服务器、移动、图形、消费电子全领域,但压力最大的显然是成本敏感型市场——装机市场、入门手机、白牌服务器。对这部分买方来说,「涨速崩盘」没有任何安慰作用,因为绝对价格还在天上,而且要挂很久。对云厂商和AI大客户则相反:LTA在手,量价双锁,涨价周期里反而是受益方。
所以,「现在绝对不是高兴庆祝的时候」这句话,说的是普通消费者;对产业投资者和采购决策者,正确的姿势是盯三件事:Q4闪存是否如期持平(验证涨价动能衰减)、2027上半年是否如约达峰(验证周期顶点)、以及3D-DRAM这类新架构在推理市场的订单落地情况(验证需求结构是否松动)。
任何一个变量提前兑现,都可能在2028年前撕开价格回落的口子。但目前,一个都还没兑现。
小结
这轮存储行情的下半场剧本已经清晰:涨速崩盘、价格高位、长协锁盘、2027达峰。真正的分水岭不在2026年,而在2028年前后——AI需求是否证伪、产能是否过剩,这两张牌翻开之前,别赌暴跌。而对产业而言,比价格更值得盯的,是d-Matrix们正在改写的内存架构叙事。存储的周期会轮回,技术路线的 смен更替一旦发生,就回不去了。
注:文中Q3、Q4价格数据为TrendForce、摩根士丹利等机构预估,存在上修可能;NAND市占数据来自Counterpoint Research,按收入口径统计。
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