存储芯片,开始掀桌子了?
📋 总体概括
三星在Hot Chips上公布三阶段HBM路线图,终点zHBM要把DRAM直接堆上计算芯片;另一边长存控股330亿IPO刷新科创板纪录,一季度净利333亿。存储行业正从配角走向舞台中央。
📄 正文
两个月内,存储行业出了两件不太一样的事。
一件在太平洋对岸:三星在Hot Chips大会上摊出一张三阶段HBM路线图〔编注:三星在Hot Chips 2026现场演讲,具体场次日期以会议官方议程为准〕,终点是一种叫zHBM的架构,把DRAM直接垂直堆在计算芯片上,连2.5D中介层都不要了。另一件在武汉:长存控股科创板IPO获受理,拟募资330亿元,刷新科创板纪录〔来源:上交所科创板项目动态,2026年8月21日披露受理〕,2026年一季度归母净利润333.79亿元〔来源:招股说明书/上市申请文件,2026年8月披露〕。
一个在重画DRAM的堆叠方式,一个在刷新中国存储的融资纪录。但“两条线索指向同一个判断”不能只是修辞,下文我们会用带宽经济学和周期位置把它论证清楚:存储芯片不再是AI时代的配角,它开始自己定义规则了。
🧊 Hot Chips上,三星讲了个大故事
Hot Chips这种会,一般是GPU厂商唱主角的。今年有点不一样,三星DRAM设计团队的Sangwook Han站上台,讲的不是三星内存卖多便宜,而是一整套HBM的未来架构〔来源:Hot Chips 2026会议演讲,日期待核实〕。
他的核心论点很直接:HBM靠堆层数涨带宽的路,快走到物理极限了。(关于HBM的C-die/B-die堆叠结构与TSV硅通孔原理,此处不再展开,读者可参考JEDEC HBM4标准文档;对本文而言,只需记住一句话:当前架构的带宽上限,卡在TSV数量间距和基础芯片I/O这两处物理约束上。)
三星给出的解法是掀桌子——取消中介层,把DRAM直接立着堆到GPU、TPU上。按三星的说法,这个叫zHBM的方案相较标准HBM4E可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升,每个DRAM模组省下100W功耗,还能给GPU释放8.3%的额外功率空间〔来源:三星宣称,Hot Chips现场材料;截至发稿无第三方实测或客户验证〕。
用一句话概括这个思路:既然墙挡路,那就不修墙了,直接把房子盖过去。
宣称参数 vs 待验证问题,一组对等的账:
| 三星宣称 | 对应的质疑与未知 |
|---|---|
| 较HBM4E带宽提升230% | 带宽提升依赖DRAM直接堆上xPU,测试与修复流程如何设计?坏块率如何控制?目前无公开数据 |
| 每模组功耗降低70%、节省100W | DRAM与发热大户GPU直接贴装,散热路径重排,宣称值是否在满载AI工作负载下测得?未知 |
| 给GPU释放8.3%功率空间 | 释放的前提是整机散热方案成立,数据中心客户的实际TCO收益需等部署验证 |
| (未公布) | 量产时间表未公布;键合良率、成本曲线均为问号。 |
这张表的右列不是抬杠,是这类路线图的常规代价:愿景越宏大,中间的良率深渊就越深。
📊 三阶段拆解:先抢面积,再合芯片
金句:架构创新的时代,先动手的都是被逼急的。
路线图第一阶段的目标很朴素:从xPU手里抢回硅面积。
三星已把D1c与4nm逻辑工艺用在了HBM4的B-die上,主要目的是降功耗、缩面积。据Wccftech报道,B-die与计算芯片之间的制程代差正在逐代收窄,这本来是HBM设计的麻烦事,但在三星手里,反而成了切入口:逻辑工艺做得越接近,B-die就越有机会承担更多计算职能,DRAM和逻辑的边界就越模糊〔来源:Wccftech报道,2026年,具体发布日期待核实〕。
用一张图看懂现在的HBM结构,以及zHBM要动的地方:
把带宽演进和路线图终点放在一起看(注意:除zHBM一行外为JEDEC路线与行业公开信息,zHBM一行为三星宣称值):
| 代际 | 每堆叠带宽 | 关键变化 |
|---|---|---|
| HBM4 | 超过3TB/s | B-die引入4nm逻辑工艺 |
| HBM4E | 4TB/s区间 | zHBM方案的对比基准 |
| HBM5 | HBM4基础上翻倍 | 容量超60GB |
| zHBM | 宣称较HBM4E提升230% | 取消2.5D中介层,量产时间未定 |
按三星的三阶段叙事,第一阶段是融合工艺、腾出面积;终点是zHBM把DRAM垂直堆在计算芯片上。中间阶段的细节三星还没完全摊开,但方向已经能读出来:DRAM和逻辑的物理距离要一路缩短到零。
为什么这个方向值得认真对待?用带宽经济学算一笔账。当下AI集群的普遍瓶颈不是算力峰值,而是存储墙,GPU算力利用率常年被带宽卡住,行业常见测算下有效利用率只有三到五成。这意味着对数据中心买家来说,每一TB/s带宽的真实价值,等于“买卡的钱 ÷ 实际用上的算力”,带宽每翻一倍,同样算力支出的浪费就少一块。zHBM宣称的230%带宽提升如果兑现哪怕一半,意义不在参数表上,而在每token推理成本上,这正是云厂商愿意为架构冒险买单的原因。同时,取消中介层节省的不只是功耗,还有封装面积:2.5D中介层在CoWoS类封装里是稀缺产能,存储直接堆上xPU等于绕开了当下最拥堵的封装瓶颈。这才是“存储定义规则”的具体含义:带宽在哪、封装在哪,算力价格就在哪。
💰 长存控股:一个季度赚出想象空间
金句:存储是个周期行业,但穿越周期的只有技术和规模。
2026年8月21日,长存控股科创板IPO获受理,拟募资330亿元,保荐机构为中信证券和中信建投〔来源:上交所披露、招股说明书〕。这个数字超过长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元(中芯国际为2020年上市数据),是科创板史上拟募资金额最高的项目〔来源:公开上市公司公告及交易所披露汇总〕。
钱怎么花?一张饼看清结构〔来源:招股说明书募投项目章节〕:
pie title 拟募资330亿元用途
"量产线技术升级 208亿" : 208
"研发相关募投项目 122亿" : 122
比募资额更值得看的是业绩曲线〔来源:招股说明书财务数据,审计基准日2026年3月31日〕:
| 报告期 | 主营业务收入 | NAND Flash收入 | 归母净利润 |
|---|---|---|---|
| 2023年 | 187.47亿元 | 141.02亿元 | 亏损 |
| 2024年 | 452.03亿元 | 398.80亿元 | 67.71亿元 |
| 2025年 | 631.85亿元 | 566.60亿元 | 超142.11亿元 |
| 2026年一季度 | 470.42亿元 | 452.38亿元 | 333.79亿元 |
截至2026年3月31日,公司累计亏损收窄至约34亿元〔来源:招股说明书〕——按这个速度,历史包袱基本清零。
但这个斜率要放回周期位置里读,才不会被数字吓到或骗到。NAND是典型强周期行业:2022年下半年到2023年,合约价暴跌、全行业亏损,长存2023年的187亿收入和亏损就是那轮寒冬的注脚;2024年起行业减产见效、AI拉动企业级需求,价格进入上行通道。换句话说,2026年一季度单季333.79亿净利,是“行业上行周期+企业级SSD放量+Xtacking代差红利”三重因素叠加的峰值形态,用它线性外推全年利润是危险的,用它证明技术和规模站住了,是成立的。周期会回落,但每一轮上行里吃下最大份额的,永远是上一轮下行中没停产的产能和技术投入。这也是为什么募投里208亿投向量产线升级而非分红式扩张——供给纪律和技术代差,是穿越周期的两张门票。
规模与技术侧的坐标〔来源:TrendForce数据(2026年1–3月,按销售金额和出货量计算),经媒体整理〕:长存控股在全球NAND Flash厂商中排名均位列全球第三、中国第一。2022年Xtacking®3.0让它成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业;2024年迭代到Xtacking®4.0,拿下FMS权威奖项;2025年,它成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业〔来源:公司招股书披露及行业媒体公开报道〕。
据多位接近人士的说法,这家公司二期产线已满产,三期产能建设正在推进〔编注:此说法未经公司招股书或官方渠道确认,属行业传闻,请以公司后续披露为准〕。换句话说,330亿不是救命钱,是加速钱。
🌐 两条路线,同一个信号
金句:当配角开始定规则,主角的位置就该重新排座次了。
把三星和长存控股放在一起看,会发现一个共同点:大家都在往“三维”里卷。
三星押的是DRAM与逻辑芯片的垂直融合,把存储往计算芯片上摞;长存押的是3D NAND的层数与架构,Xtacking把外围电路和存储单元分层制造再键合。路径不同,哲学一致,平面微缩越来越贵,垂直集成成了新的性价比曲线。
这个“同一个判断”,用产业逻辑可以拆成两层:
第一层,带宽经济学重新分配了价值链。AI时代存储器的定价权来自它在系统里的稀缺性:HBM决定GPU能不能吃饱,企业级SSD决定推理集群的吞吐下限。当一块GPU的BOM里HBM占三到五成、且经常缺货,存储厂就从“按GB卖砂子”变成了“按算力释放能力卖瓶颈”,定价逻辑从周期品滑向了半垄断品。三星敢自己定互连架构、不再只等JEDEC标准,正是因为它握着稀缺的那一端。
第二层,周期位置放大了规模的意义。当下NAND处于上行周期,但上行周期真正的分水岭不在价格,而在谁能把上行赚到的利润即时转化为下一代产能和技术——下行周期的兼并和出清,从来都是在上行周期里决定的。长存控股330亿募资+满产传闻,本质是在周期高点抢先锁死第三名的产能身位,让下一轮下行来临时 competitors 先出局。
两层逻辑合起来,信号才真正清晰:全球NAND第三把交椅上坐进了一家中国大陆企业,并且拿到了专利交叉授权——这意味着在国际规则体系内有了对等谈判的资格〔来源:招股书披露〕。而三星的zHBM路线图,则说明头部DRAM厂不再满足于跟随JEDEC节奏,开始自己定义下一代互连形态。
⚠️ 冷水时间:路线图不等于出货表
金句:愿景越宏大,中间的良率深渊就越深。
冷水在前文已对等展开过一轮,这里再补两处需要盯紧的地方:
zHBM侧:除了上表列出的良率、散热、测试问题,还有一个常被忽略的时间差——这类架构路线图从发布到真正进数据中心,历来以年为单位,参照物是HBM4从标准冻结到规模部署的节奏。三星宣称的70%/230%在纸面上漂亮,但混合键合在逻辑芯片上的量产良率至今没有公开先例可对标。
长存侧:一季度净利是周期峰值形态,不是常态产能。NAND价格波动对利润表的杀伤力,经历过上一轮存储寒冬(2022下半年至2023年全行业亏损)的厂商都懂——若2027年前后供给增速重新超过需求增速,今天330亿的募投节奏反而可能成为明天的折旧压力。判断这家公司,看的不是这一季赚多少,而是下行周期里它还能不能保持208亿级别的产线投入。
但方向不用怀疑。存储行业正在从“跟计算节奏走”变成“给计算定节奏”,带宽墙、功耗墙、面积墙,每一堵墙的解法都藏在存储厂的新路线图里。
三星把DRAM立着堆向算力,长存把层数一路叠向天花板,330亿融资则给中国存储的下一个周期备足了弹药。2026年,看存储别只看价格涨跌,要看谁在重写堆叠的规则——那才是下一个五年的胜负手。
📎 数据来源与核实说明
| 数据 | 来源 | 日期/状态 |
|---|---|---|
| zHBM宣称参数(70%/230%/100W/8.3%) | 三星Hot Chips演讲 | 会议日期待核实;无第三方验证 |
| B-die制程代差收窄 | Wccftech报道 | 具体发布日期待核实 |
| IPO受理、330亿募资、保荐机构、募投拆分 | 上交所披露、招股说明书 | 2026年8月21日受理 |
| 各报告期财务数据、累计亏损 | 招股说明书 | 审计基准日2026年3月31日 |
| 全球NAND排名(第三、中国第一) | TrendForce | 2026年1–3月,经媒体整理计算 |
| 中芯国际200亿、长鑫科技295亿募资额 | 上市公司公告/交易所披露 | 中芯国际为2020年上市数据 |
| 二期满产、三期推进 | 接近人士说法 | 未经公司确认,属行业传闻 |
| NAND周期史实(2022下半年–2023年下行) | 行业公开信息 | 广泛报道,无可争议 |
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