存储涨价，长鑫却去搞NAND了？

存储涨价的号角还在吹，长鑫却悄悄转身，去啃NAND这块最硬的骨头。

2025年9月17日，一场内资闭门会上，存储行业专家给出两个关键判断：涨价周期仍在持续，供需紧张程度超预期；HBM量价齐升，正在带来一波板块性机会。

紧接着，9月18日，据中新经纬援引路透社报道，多位消息人士透露：长鑫存储正准备进入闪存市场，计划在北京新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线，并已在北京设立研究院，项目内容包括NAND开发。

一边是DRAM和HBM的好日子，一边是去开辟第二战场。这步棋，值得细看。

📈 涨价没停，这次还超了预期

存储是个周期行业，但这轮周期不太守规矩。

9月17日那场闭门会上，行业专家给出的判断很直接：存储涨价周期持续，供需紧张超出预期。注意，"超预期”这三个字，说的是买方和卖方都没料到这轮紧缺会这么长、这么深。

产业逻辑其实不复杂。需求端，AI训练与推理对内存容量的胃口持续放大；供给端，头部原厂过去几年被下行周期的亏损教育过，扩产纪律空前严格——产能不敢乱开，价格自然撑得住。

更关键的是结构性挤压。HBM用的是DRAM产能，而且单位面积晶圆产出效率更低。当越来越多DRAM晶圆被划去生产HBM，常规DRAM的供给就被动收缩了。原厂把产能让给了利润率最高的产品，剩下的份额涨价，几乎是顺水推舟。

从市场近期的询价与备货情绪推测，这一轮涨价的持续性讨论，可能已经从“能不能撑到明年”变成了“高位能维持多久”。若这一判断成立，对存储板块来说，这将是定价权重新回到卖方手里的信号。

一句话：这不是普通的涨价，是供需两端同时收紧的结果。

🔥 HBM重定价，从配角变成定价锚

HBM不再只是DRAM的贵亲戚，它开始给整个行业定价。

闭门会的第二个核心判断是：HBM量价齐升，HBM重定价带来板块性机会。

所谓“重定价”，指的是市场对HBM的价值评估体系变了。过去HBM被看作GPU旁边的一颗配角——技术门槛高，但终究是定制化小市场。而现在，AI算力竞赛让HBM成了卡脖子的那块料，价格和出货量同步上行，变成了整个存储行业最赚钱、也最能吸引资本目光的主赛道。

重定价的传导链条并不难理解：AI需求爆发，带动HBM量价齐升；HBM挤占DRAM产能，常规DRAM供给收缩，存储全线涨价，最终传导为存储板块的机会。理解了这条链，你就明白为什么专家说这是“板块性机会”而不是“单品机会”——HBM抽走了产能，常规DRAM跟着涨，NOR、利基存储跟着受益，连带着模组、主控、封测环节都有肉吃。

而对国产厂商来说，HBM重定价还有另一层含义：它抬高了所有人的期待，也给追赶者标出了清晰的靶子。 这就引出了今天的主角。

🧭 长鑫去哪了？答案是NAND

所有人盯着HBM的时候，长鑫把第二只脚踩进了闪存。

据路透社2025年9月18日报道，消息人士透露的信息可以拆成三件事：

• 建线：长鑫存储计划在北京新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线；
• 设院：公司在北京设立了研究院，项目包括NAND开发；
• 见客：长鑫已与客户讨论其NAND计划，其中包括一家新成立的初创公司——这家公司计划采购长鑫的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品。

值得注意的是措辞的克制：目前尚不清楚研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫是否计划从研发试产走向大规模商业化制造。消息人士拒绝透露那家初创客户的名称。

为什么是NAND？两个理由。

第一，AI不是只吃HBM。超大规模训练集群的数据湖、检查点存储、高带宽分层存储，对高性能NAND的需求同样在放大。那家计划采购长鑫NAND的初创公司瞄准AI系统和超算存储，正说明缝隙市场已经打开。

第二，从技术追赶的角度，NAND是一条可与DRAM能力复用、又相对独立的赛道。长鑫在合肥的DRAM平台已经跑起来了，把工艺know-how、设备供应链、人才储备横向迁移到NAND研发线，边际成本比从零起步低得多。

从公开信息的走向推测，中国厂商进入NAND赛道或许只是时间和切入点的问题——而现在，时间和切入点开始清晰了。

🧗 双雄追赶：从单点突破到全面铺开

国产存储的故事，正在从“一个突破点”变成“一张网”。

9月17日闭门会上，专家的另一条判断是：长江存储与长鑫存储的技术追赶在加速。

这两家分工其实早就清晰：长江存储主攻NAND，长鑫主攻DRAM。如今长鑫被曝进军NAND，如果属实，意味着国产存储双雄第一次在对方的主场附近布局——长鑫下场做NAND研发，长江存储的3D NAND堆叠路线继续向上爬。

长鑫的动作节奏也值得记录一笔：9月17日，闭门会确认存储涨价持续；9月18日，路透社曝出其北京NAND研发计划，同日消息称其已接触AI存储初创客户。

产业逻辑上，这个时点切入NAND有三个有利条件：

其一，客户愿意给机会。地缘与供应链多元化的诉求下，国内云厂商和AI公司对国产存储的验证意愿明显提高，那家愿意采购长鑫NAND做AI超算存储的初创公司就是例证。

其二，窗口期存在。原厂产能向HBM倾斜，常规及利基存储供给收紧，新进入者反而更容易拿到订单去完成工艺迭代。

其三，研发线先行是稳妥打法。先研发试产、再决定量产，既控制了资本开支风险，也给了工艺和产品打磨的时间——这是成熟后发者常用的路径。

当然，追赶不会一蹴而就。3D NAND的堆叠层数、良率、成本曲线，每一步都是硬仗。但方向确认本身，就是产业级信号。

⚠️ 别高估，也别低估

研发线不等于量产线，但棋子落下的声音，全行业都听见了。

先把格局摆清楚。全球NAND市场高度集中，由三星电子等海外厂商主导。根据研究机构TrendForce数据，2025年第二季度，三星电子以29.3%的市场份额位居全球NAND闪存供应商第一，SK海力士与美光科技分列第二、第三。（数据来源：TrendForce，转引自中新经纬）

在这张牌桌上，长鑫连名字都还不在上面。所以别高估：从研发线到量产、从试产到商业化的每一步都有不确定性，路透的报道也明确说了，尚不清楚是否会转向大规模制造。

但更别低估三点：

1. 时机。存储涨价周期持续、HBM重定价的窗口里，新进入者面对的是一个愿意付溢价、愿意验证新供给的市场，而不是冷启动。

2. 卡位。一旦NAND研发线落地，长鑫将同时卡位DRAM、HBM、NAND三条存储主线——这在国产存储历史上是第一次。

3. 需求验证。客户不是泛泛而谈，而是AI系统和超算存储这种高门槛场景，起点不低。

一句话总结这盘棋：HBM重定价给了行业向上的β，长鑫的NAND布局则是在为自己找第二增长曲线的α。

小结

存储涨价周期持续、供需紧张超预期、HBM量价齐升——这是9月17日闭门会给出的行业底色；9月18日路透曝出的长鑫NAND计划，则是在这个底色上落下的关键一子。研发线何时运营、能否走向大规模商业化，都还是未知数，但信号已经很清楚：国产存储的追赶，正在从DRAM单线突破走向三条主线的全面铺开。接下来值得盯的，是北京那条研发线的进展，以及HBM重定价行情还能走多远。