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京都大学团队用标准离子注入工艺和底栅结构,做出可在600℃下工作的碳化硅晶体管,且兼容标准晶圆厂产线。真正的看点不是温度数字,而是'不用另起炉灶'——这可能改写
3D NAND突破300层后,钨字线遭遇电阻、漏电与填充三重物理瓶颈,钼凭低电阻、无氟工艺和优异填充能力成为必选项。三星、美光、SK海力士全面押注钼工艺,设备商