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🌐 综合技术
光刻机的下一个十年，被一篇论文说透了
ASML与蔡司以同行评审论文形式公布Hyper NA EUV蓝图：数值孔径提至0.75、5nm单次曝光、约十年后就绪。本文拆解其技术取舍、产业排期与绕行路线，并
4036字10月13日 11:33
🌐 综合技术
NA 0.75，光刻的下一张底牌
蔡司SMT与ASML发表论文，提出数值孔径不低于0.75的Hyper-NA EUV方案，把光刻路线图再推一格。本文拆解其技术逻辑、High-NA的产业账本，以及
3917字10月11日 05:33
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光、厂、新材料：芯片终局三笔画
ASML与蔡司画出Hyper NA EUV十年路线图，马斯克拉英特尔入伙TeraFab超级晶圆厂，台积电研究院则在0.42nm氧化铝界面上逼近硅的极限。光刻、制
4519字10月9日 11:33
🌐 综合⭐精选技术
光刻机卷完0.55，又盯上0.75
🌐 综合技术
Teradyne把两道工序焊成了一道
🌐 综合技术
300层之后，钨把存储王座让给了钼
🌐 综合⭐精选技术
钨老了，钼上桌：NAND的十亿美元换血
🌐 综合⭐精选技术
一台光刻机，凭什么让三巨头排队？
🌐 综合技术