三星发布zHBM三阶段路线图，DRAM直接堆叠到GPU

三星在Hot Chips技术大会上披露zHBM路线图，计划将DRAM die直接垂直堆叠在GPU/TPU等计算芯片上，取消2.5D硅中介层。相较标准HBM4E，宣称功耗降低70%、DRAM带宽提升230%、每个DRAM模组节省100W，并为GPU释放8.3%额外功率空间。路线图分三阶段推进，首阶段为HBM4的B-die导入D1c DRAM与4nm逻辑工艺。