半导体产业观察 · 事件追踪
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分析师预测2026年中国AI加速器自给率达90%
根据长期跟踪中国云厂商资本开支的分析师预测，2026年中国本土AI加速器将供应国内市场的90%，寒武纪与华为被视作最大赢家，英伟达和AMD的市场份额将被大幅压缩。该预测基于供应链安全优先于峰值性能的产业逻辑，国内云厂商、电信运营商在招标中将国产算力可用性置于关键位置。寒武纪的互联网推理侧需求明显增长，华为昇腾则依托生态适配和集群能力进入政府与金融客户。
三星发布zHBM架构：DRAM垂直堆叠到计算芯片上方
三星在Hot Chips大会公布zHBM架构，将DRAM直接垂直堆叠到GPU/TPU等计算芯片上方，取消2.5D中介层。对比HBM4E，功耗降低70%、带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，为GPU释放8.3%额外功率空间。当前HBM4堆叠带宽超3TB/s，HBM4E约4TB/s，HBM5带宽翻倍、容量超60GB。三星已采用D1c与4nm逻辑工艺制造HBM4 Base Die作为第一阶段
芯原股份2026上半年营收增91%，净亏损扩大至6.12亿元
芯原股份2026年半年度报告显示，上半年营业收入18.64亿元，同比增长91.37%；但归母净利润亏损6.12亿元，较上年同期亏损3.2亿元扩大近一倍，扣非净亏损6.22亿元，且不进行利润分配。营收高增长与亏损扩大并存，反映AI定制芯片设计服务由轻资产IP转向重资产交钥匙模式，研发与封测成本高企。
台积电0.42nm二维材料界面层突破
台积电在0.42纳米制程实现MoS₂二维材料界面层突破，昭示硅基微缩逼近物理尽头。该技术或影响下一代晶体管架构，对ASML光刻路线形成潜在挑战，半导体进入制程、电力与互连三线烧钱周期。
三星发布zHBM：将DRAM垂直堆叠至计算芯片
三星在Hot Chips公布zHBM架构，将DRAM垂直堆叠到GPU/TPU等计算芯片上方，取消2.5D中介层。对比标准HBM4E，功耗降低70%、带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，为GPU释放8.3%额外功率空间。HBM4带宽已超3TB/s，HBM4E推进至4TB/s，zHBM有望重塑AI存储互连格局。
三星Hot Chips公布zHBM架构
三星在Hot Chips大会上公布zHBM技术，将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU等计算芯片上，取消2.5D中介层。据称对比HBM4E可实现功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，为GPU释放8.3%功率空间。第一阶段已将D1c与4nm逻辑工艺用于HBM4的Base Die。该架构对混合键合、TSV刻蚀和热管理材料提出更高要求。
三星发布zHBM三阶段HBM路线图
三星在Hot Chips 2026大会上披露HBM三阶段演进路线图，终点为zHBM：将DRAM直接垂直堆叠于GPU/TPU之上，取消2.5D中介层。宣称相较标准HBM4E，功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W功耗，为GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段HBM4的Base Die采用D1c存储工艺+4nm逻辑工艺。
三星发布zHBM架构路线图，拟取消2.5D中介层
三星在Hot Chips大会上公布三阶段HBM路线图，终点的zHBM架构将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU上，彻底取消2.5D中介层。三星宣称相较HBM4E可实现70%功耗降低、230%带宽提升，HBM4 Base Die将采用D1c DRAM工艺与4nm逻辑工艺。但三星未给出量产时间表，业内认为热管理与TSV良率仍是两大挑战。
台积电0.42nm二维材料制程突破
台积电在二维材料领域取得重大突破，研发出0.42纳米MoS₂界面层制程技术，昭示硅基芯片微缩逼近物理极限。该技术有望在传统制程受限于物理规律后继续延续性能提升，但量产与成本挑战巨大，同时与ASML光刻路线及无掩模技术路线形成竞争，制程、电力与互连三线烧钱模式启动。
芯原股份2026上半年营收增91%但净亏损扩大至6.12亿
芯原股份2026年半年报显示，上半年营业收入18.64亿元，同比增长91.37%；归母净利润亏损6.12亿元，较上年同期3.2亿元亏损扩大近一倍，扣非净利润亏损6.22亿元，且不进行利润分配。营收高增与亏损扩大反映AI定制芯片设计服务向重资产模式转型，前期研发、流片及封装成本高企，订单增长但利润承压。
台积电0.42nm二维材料技术突破
台积电宣布在0.42纳米节点采用MoS₂二维材料界面层取得突破，昭示硅基微缩逼近物理尽头，为后摩尔时代制程路线提供新方向。同期ASML光刻路线遭遇无掩模技术挑战，先进制程竞争格局酝酿变化。
小米发布玄戒O3等三款自研芯片
8月24日，小米发布三款玄戒芯片：旗舰SoC玄戒O3采用台积电3纳米工艺，晶体管数量从上代190亿提升至240亿，将于9月随Xiaomi 18 Fold折叠屏首发；玄戒O100（1.22TB/s带宽AI加速芯片）和玄戒D100（智驾AI芯片）计划2027年商用。小米自2021年重启芯片研发以来累计投入超210亿元，团队近3000人。
三星公布zHBM三阶段路线图
三星在Hot Chips大会上由DRAM设计团队披露通向zHBM的三阶段HBM演进路线图，终点是将DRAM直接垂直堆叠在GPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。宣称相较标准HBM4E可实现70%功耗降低、230%带宽提升，每DRAM模组节省100W功耗，并为GPU释放8.3%额外功率空间。三星已将D1c与4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die。
小米发布三款玄戒芯片，覆盖手机/端侧AI/智驾
2026年8月24日，小米发布三款玄戒芯片：旗舰SoC玄戒O3采用台积电3nm工艺，晶体管达240亿，将于9月随Xiaomi 18 Fold首发；端侧AI芯片玄戒O100带宽1.22TB/s；智驾芯片玄戒D100，预计2027年商用。自2021年1月重启芯片研发以来，小米累计投入超210亿元，芯片团队近3000人。
小米发布三款玄戒芯片 旗舰SoC采用台积电3纳米
8月24日，小米发布玄戒O3旗舰SoC、玄戒O100端侧AI加速芯片和玄戒D100智驾芯片。玄戒O3采用台积电3纳米工艺，晶体管达240亿颗，将于9月随Xiaomi 18 Fold首发。小米已累计投入超210亿元研发芯片，团队近3000人。
小米发布玄戒O3等三款芯片，旗舰SoC将随折叠屏首发
8月24日，小米发布三款玄戒芯片：旗舰SoC玄戒O3沿用台积电3纳米工艺，晶体管从190亿提升至240亿，将于9月随Xiaomi 18 Fold折叠屏首发；端侧AI加速芯片玄戒O100和智驾芯片玄戒D100计划2027年商用。自2021年重启芯片研发以来，小米累计投入超210亿元，芯片团队近3000人。
小米发布玄戒O3等三款芯片，累计研发投入超210亿
8月24日，小米发布三款玄戒芯片：旗舰SoC玄戒O3采用台积电3nm工艺，晶体管达240亿，9月随Xiaomi 18 Fold首发；玄戒O100为1.22TB/s高带宽AI加速芯片，玄戒D100面向智驾高算力。自2021年重启芯片研发以来，小米累计投入超210亿元，芯片团队近3000人。
三星发布zHBM，DRAM垂直堆叠上计算芯片
三星在Hot Chips公布zHBM架构，将DRAM直接垂直堆叠到GPU/TPU等计算芯片上方，取消2.5D中介层。相较HBM4E，宣称功耗降低70%、带宽提升230%，单个DRAM模组节省100W，并为GPU释放8.3%额外功率空间。该技术对混合键合、TSV刻蚀和热管理材料提出更高要求，存储厂与逻辑代工、先进封装边界进一步模糊。
小米发布三款玄戒芯片，旗舰SoC用3nm制程
2026年8月24日，小米发布玄戒O3、O100、D100三款芯片。旗舰SoC玄戒O3沿用台积电3纳米工艺，晶体管达240亿，将于9月随Xiaomi 18 Fold首发；玄戒O100为端侧AI加速芯片，玄戒D100为智驾高算力AI芯片，均计划2027年商用。小米自2021年重启芯片研发以来累计投入超210亿元，芯片团队近3000人。
三星Hot Chips公布zHBM路线图，DRAM直堆GPU
8月23日，三星电子在Hot Chips大会上公开zHBM架构路线图，计划将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU上并取消2.5D中介层，宣称较标准HBM4E可降低DRAM功耗70%、提升带宽230%、单模组节省100W、为GPU释放8.3%功率空间。原型已在特定客户处做热验证，量产受混合键合良率牵制。此前三星已将4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die。
三星Hot Chips披露zHBM三阶段路线图
8月23日，三星在Hot Chips大会披露zHBM三阶段路线图，计划将DRAM裸片直接3D堆叠在GPU/TPU等计算芯片上，彻底取消2.5D硅中介层。三星宣称相较标准HBM4E，功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，并为GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段将在HBM4的B-die上导入D1c DRAM工艺与4nm逻辑工艺。业内认为这是三星落后SK海力士后争夺
三星发布zHBM路线图：DRAM直堆GPU
8月23日，三星电子在Hot Chips大会公布zHBM路线图，计划将DRAM直接垂直堆叠到计算芯片上，取消2.5D中介层。宣称相比标准HBM4E，功耗降低70%、带宽提升230%、每模组节省100W，为GPU释放8.3%功率空间。原型已在客户处做热验证，量产受混合键合良率牵制，有望重新定义HBM封装路线。
三星发布zHBM三阶段路线图，DRAM直接堆叠到GPU
三星在Hot Chips技术大会上披露zHBM路线图，计划将DRAM die直接垂直堆叠在GPU/TPU等计算芯片上，取消2.5D硅中介层。相较标准HBM4E，宣称功耗降低70%、DRAM带宽提升230%、每个DRAM模组节省100W，并为GPU释放8.3%额外功率空间。路线图分三阶段推进，首阶段为HBM4的B-die导入D1c DRAM与4nm逻辑工艺。
三星在Hot Chips发布zHBM路线图
2026年8月23日，三星电子在Hot Chips大会公开zHBM架构，计划将DRAM直接垂直堆叠于GPU/TPU上，取消2.5D中介层。宣称可降低DRAM功耗70%、提升带宽230%、每模组节省100W。采用混合键合技术，分为三个阶段，原型已在客户处验证，量产受良率牵制。该技术可能重定义HBM标准。
台积电0.42nm二维材料突破
台积电在0.42nm工艺节点实现MoS₂（二硫化钼）二维材料界面层关键突破，昭示硅基制程微缩逼近物理极限。该技术探索将二维材料引入先进制程，为后硅时代芯片制造开辟新路径，或将重塑全球先进制程竞争格局。
安世中国发布12英寸功率半导体产品，国产化率达100%
荷兰断供11个月后，安世中国于2026年8月22日发布多款基于12英寸晶圆的功率半导体产品，国产化比例由不足20%提升至100%，三条产品线落地。此前境外6-8英寸晶圆断供迫使公司推出来料加工模式应急，CEO张秋明称“我们已经回来了”。
安世中国断供11个月后发布12英寸功率产品
2026年8月22日，安世中国发布多款基于12英寸晶圆的功率半导体产品，国产化比例从不足20%提升至100%。此前因荷兰行政司法干预，境外6-8英寸晶圆断供11个月，公司通过来料加工应急，最终实现供应链本土重生。
长存控股330亿IPO获受理创科创板纪录
长存控股科创板IPO获受理，拟募资330亿元，成为科创板史上最大IPO。公司NAND闪存全球第三，单季净利润达333.79亿元，但盈利可持续性与存储周期顶部风险受到市场拷问，NAND市场竞争格局面临重估。
长江控股科创板IPO获受理，拟募资330亿创纪录
8月21日长江存储控股股份有限公司科创板IPO获受理，拟募资330亿元，超过长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元，创科创板纪录。其中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发。2025年归母净利润142.11亿元，2026年Q1单季净利润333.79亿元，NAND Flash销售金额与出货量均列全球第三。
长存控股330亿元IPO获上交所受理
8月21日，长存控股科创板IPO状态变更为“已受理”，拟募资330亿元，超过长鑫科技295亿元、中芯国际200亿元，刷新科创板拟募资纪录。其中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发。2026年Q1公司归母净利润333.79亿元，NAND Flash收入452.38亿元，全球市占率排名第三、中国第一。
长存控股2026年一季度净利333.79亿元创天量
招股书（申报稿）显示，长存控股2026年一季度主营收入470.42亿元，其中NAND Flash收入452.38亿元，归母净利润333.79亿元，单季利润超过前两年之和（2024年67.71亿元、2025年超142.11亿元），单季净利率约71%，远超历史NAND行业景气峰值水平。该数据尚未经交易所问询与审计确认。截至2026年3月底累计亏损收窄至约34亿元。
长存控股冲刺科创板IPO，拟募资330亿创纪录
8月21日，上交所受理长存控股科创板IPO申请，拟募资330亿元，超过长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元，成为科创板史上拟募资额最高的项目。资金用途为208亿元投向长江存储量产线技术升级项目、122亿元投向研发项目，保荐机构为中信证券与中信建投。招股书显示其二期产线已满产，三期产能建设正在推进。
三星Hot Chips发布zHBM三阶段路线图
三星在Hot Chips大会上披露HBM三阶段演进路线，终局架构zHBM将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU之上，取消2.5D中介层。相较标准HBM4E，宣称可降低70%功耗、提升230% DRAM带宽，每个DRAM模组节省100W功耗并给GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段已将D1c与4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die，后续功能将向Base Die收敛，落地或在2029年以后。
长江存储IPO申请获上交所受理
8月21日晚，长江存储控股股份有限公司科创板IPO申请获上交所受理，拟募资330亿元，超过长鑫科技成为科创板最大拟募资额。招股书显示2026年一季度营收470.42亿元、归母净利润333.79亿元，净利率高达71%，估值约3300亿元。保荐机构为中信证券和中信建投。
英伟达因存储成本飙升上调AI系统价格15%
据外媒报道，英伟达已警告其最大客户，明年年初出货的Grace Blackwell与Vera Rubin系统价格将上涨15%，原因是存储成本继续飙升。该事件反映出AI服务器对存储需求激增，带动NAND和DRAM涨价，长存控股等存储厂商成为实际受益者，但HBM仍由三星、SK海力士等主导。
长存控股季度净利333.79亿元，NAND升全球第三
长存控股招股书披露，2026年一季度实现主营业务收入470.42亿元，归母净利润333.79亿元，净利率超70%；按TrendForce数据，其NAND Flash销售额与出货量均列全球第三、中国第一。截至3月末累计亏损收窄至约34亿元，三期产能建设推进中，存储行业进入量价齐升周期。
三星发布LPDDR5X-PIM存内计算芯片
在Hot Chips 2026上，三星电子展示了行业首款LPDDR5X-PIM内存，在DRAM中直接集成逻辑单元，AI推理速度较普通LPDDR5X提升3.01倍，带宽达8倍。该技术将计算引入内存，模糊存储与计算边界，对NAND厂商构成生态警示，推动存储价值从容量向算力转移。
长存控股披露Q1净利333.79亿元，全球NAND排名第三
2026年8月21日随IPO招股书披露，长存控股一季度归母净利润达333.79亿元，主营业务收入470.42亿元；按TrendForce数据，公司按销售金额和出货量位列全球NAND Flash厂商第三、中国第一。单季利润几乎覆盖330亿募资额，凸显存储周期高景气及公司成本竞争力，为科创板最大募资项目提供财务背书。
英伟达警告AI系统涨价15%，存储成本飙升
据外媒报道，英伟达已警告最大客户，明年年初出货的Grace Blackwell与Vera Rubin系统价格将上涨15%，原因是存储成本持续攀升。AI服务器对NAND、DRAM及HBM需求旺盛，存储涨价潮传导至终端设备。长存控股等NAND厂商受益于企业级存储需求，但在HBM领域仍由三星电子、SK海力士、美光科技主导。
台积电0.42纳米二维材料制程突破
台积电在MoS₂二维材料界面层技术上实现0.42纳米突破，标志着硅基制程微缩逼近物理极限。该技术为后硅时代的关键路径，与ASML光刻路线形成互补与竞争，推动半导体产业进入制程、电力与互连三线并行的重资本烧钱周期。
长存控股330亿元科创板IPO获受理
长存控股科创板IPO获受理，拟募资330亿元，创科创板史上最大IPO纪录。公司单季净利润达333.79亿元，NAND全球第三地位面临重估，但市场对其在周期顶部的融资风险与盈利可持续性存有疑虑，后续定价和认购热度将成为存储行业风向标。
三星发布zHBM路线图，欲重塑HBM架构
在Hot Chips大会上，三星披露HBM演进三阶段路线图，终极zHBM方案将取消2.5D中介层，把DRAM直接垂直堆叠到计算芯片上。宣称相比标准HBM4E，功耗降低70%、DRAM带宽提升230%、每模组节省100W功耗，并为GPU释放8.3%额外功率空间。该架构以4nm逻辑工艺制造Base Die，预示存储与逻辑制程融合，可能改写先进封装竞争格局。
三星发布业界首款LPDDR5X-PIM存内计算内存
2026年8月21日，三星在Hot Chips 2026上发布业界首款LPDDR5X-PIM，将逻辑单元直接集成于内存模块内部。演示显示，该内存在AI推理任务中比传统LPDDR5X快3.01倍，带宽提升至8倍，标志着存储从被动存数向主动算数转变，可能重塑AI推理的性能瓶颈与存储产业价值框架。
长江存储推进三期扩产 国产设备验证提速
招股书披露，长江存储二期产线已满产，正在推进三期产能建设。据设备圈消息，三期设备验证节奏紧张，国产刻蚀、薄膜设备验证周期被明显压缩，以应对AI服务器拉动的大容量NAND需求及关键设备获取的不确定性。扩产侧重量产线技术升级和研发投入，而非单纯土建扩产。
长存控股Q1净利333.79亿 全球NAND排名第三
招股书显示，长存控股2026年一季度实现营收470.42亿元，归母净利润333.79亿元，净利率超70%，单季净利接近2025年全年142.11亿元的2.35倍。按TrendForce口径，公司全球NAND Flash厂商销售金额和出货量均位列全球第三、中国第一，存储周期上行叠加二期满产带来利润爆发。
长存控股IPO获受理，330亿募资创科创板纪录
2026年8月21日，长江存储控股股份有限公司科创板IPO获上交所受理，拟募资330亿元，超过长鑫科技295亿元和中芯国际200亿元，成为科创板史上最高募资额项目。募资中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发，中信证券与中信建投联合保荐。公司2026年一季度归母净利润达333.79亿元。
英伟达警告明年系统涨价15%，存储成本飙升
据外媒报道，英伟达已警告最大客户，2027年初出货的Grace Blackwell与Vera Rubin系统价格将上涨15%，原因是存储成本持续飙升。AI服务器对企业级SSD、高容量RDIMM等NAND/DRAM产能的吞噬推动涨价，长存控股等NAND厂商成为本轮存储超级周期的受益者，但HBM核心市场仍由三星、SK海力士、美光主导。
三星发布zHBM路线图，计划取消中介层堆叠DRAM
在Hot Chips大会上，三星公开zHBM路线图，计划将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU上，取消2.5D中介层。相比标准HBM4E，zHBM宣称可实现功耗降低70%、带宽提升230%、每个DRAM模组节省100W功耗，并为GPU释放8.3%额外功率空间。该方案按三阶段推进，预计2027-2028年落地，将重新定义存储与封装的边界。
三星发布zHBM路线图 直堆DRAM至GPU
在2026年Hot Chips大会上，三星公布三阶段HBM路线图，提出zHBM新架构，计划将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU上，彻底取消2.5D中介层。宣称相对HBM4E可实现70%功耗降低、230%带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，但未给出量产时间表。该方案依托三星DRAM、逻辑代工与先进封装垂直整合能力，被视为对SK海力士HBM优势的长期挑战。
长江存储330亿科创板IPO获受理
上交所8月21日受理长江存储控股科创板IPO，拟募资330亿元，超过中芯国际200亿元和长鑫科技295亿元，刷新科创板纪录。其中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发项目，保荐机构为中信证券和中信建投。募资结构显示其核心矛盾是扩产追赶全球头部。