台积电0.42nm二维材料突破

台积电在0.42nm工艺节点实现MoS₂（二硫化钼）二维材料界面层关键突破，昭示硅基制程微缩逼近物理极限。该技术探索将二维材料引入先进制程，为后硅时代芯片制造开辟新路径，或将重塑全球先进制程竞争格局。