三星Hot Chips发布zHBM三阶段路线图

三星在Hot Chips大会上披露HBM三阶段演进路线，终局架构zHBM将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU之上，取消2.5D中介层。相较标准HBM4E，宣称可降低70%功耗、提升230% DRAM带宽，每个DRAM模组节省100W功耗并给GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段已将D1c与4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die，后续功能将向Base Die收敛，落地或在2029年以后。