三星Hot Chips披露zHBM三阶段路线图

8月23日，三星在Hot Chips大会披露zHBM三阶段路线图，计划将DRAM裸片直接3D堆叠在GPU/TPU等计算芯片上，彻底取消2.5D硅中介层。三星宣称相较标准HBM4E，功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，并为GPU释放8.3%额外功率空间。第一阶段将在HBM4的B-die上导入D1c DRAM工艺与4nm逻辑工艺。业内认为这是三星落后SK海力士后争夺HBM话语权的弯道超车之举。