三星Hot Chips公布zHBM路线图，DRAM直堆GPU

8月23日，三星电子在Hot Chips大会上公开zHBM架构路线图，计划将DRAM直接垂直堆叠在GPU/TPU上并取消2.5D中介层，宣称较标准HBM4E可降低DRAM功耗70%、提升带宽230%、单模组节省100W、为GPU释放8.3%功率空间。原型已在特定客户处做热验证，量产受混合键合良率牵制。此前三星已将4nm逻辑工艺用于HBM4 Base Die。