存储芯片
大摩警告内存涨价情况仍然激进 Q3成熟制程DRAM可能涨价50%
📋总体概括
摩根士丹利警告存储涨价依旧激进,预计2026年Q3 DDR4等成熟DRAM涨价50%,Q4再涨10%,SLC NAND未来两季每季涨50%。主因厂商产能转向HBM、DDR5和高层数NAND,HBM耗晶圆约为传统DRAM三倍,AI需求持续推升,成熟内存供应紧张加剧,供应商议价权增强。大摩上调旺宏、华邦、力积电、兆易创新盈利预期,首选股为台湾爱普科技。
⚡关键信息
- ▸大摩预测2026年Q3成熟DRAM(DDR4等)涨价50%,Q4再涨10%,SLC NAND每季涨50%
- ▸存储厂商产能转向HBM、DDR5和高层数NAND,HBM耗晶圆约为传统DRAM三倍,加剧成熟制程供应紧张
- ▸DDR5现货价同比涨483%;大摩上调旺宏、华邦、力积电、兆易创新盈利预期,首选台湾爱普科技
🔥犀利点评
AI吸干产能,老制程反而成了暴利香饽饽,供需错配才是涨价真相。
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