存储“狂欢”进入下半场？DRAM、NAND价格续创新高 但涨势有所放缓

财联社9月1日讯（编辑 刘蕊）受人工智能基础设施需求扩张推动，今年8月，全球DRAM与NAND闪存平均价格再度创下历史新高。不过，相较于7月，8月的存储芯片涨价幅度有所收窄：DRAM环比涨幅为4.2%，NAND闪存环比涨幅为1.4%。

市场调研机构集邦咨询（DRAMeXchange）本周二（9月1日）发布的数据显示，8月标准PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）平均合约价为25美元，较上月24美元上涨4.2%。对比该机构2016年6月开启统计时的2.90美元，涨幅已超七倍。

回望过去一年多DDR4的价格趋势：自去年4月至今年2月，DDR4均价连续11个月实现两位数涨幅。但在3月DDR4价格环比持平，之后除5月涨幅为5%外，4月、6月和7月再度录得两位数上涨，直至8月涨价节奏再次放缓。

在8月价格数据出炉后，集邦咨询将第三季度PC DRAM合约价环比涨幅预期由此前的15-20%上调至18-23%。其指出，“绝大多数供应商与PC原始设备制造商（OEM）已于8月完成第三季度合约价谈判”，同时表示“第三季度涨价幅度相较于第二季度的暴涨（45-50%）已经回落”。

8月用于存储卡与U盘的标准NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）平均合约价为30.50美元，较上月30.10美元仅上涨1.4%，实现连续20个月价格上行。

单阶存储单元（SLC）8月平均销售价格涨幅从7月的34-51%收窄至16-28%；多层存储单元（MLC）环比涨幅仅为1.4-1.5%。

集邦咨询判断：“SLC价格在第三季度后大概率延续上涨，但涨幅或将持续缩小”，并预测：“由于成本压力愈发挤压终端利润，买方后续采购意愿减弱，MLC的上涨态势将进一步降温。”