Samsung 新内存路线图：HBM5 目标 2 倍性能，zHBM 达 8 倍

📋总体概括

三星在SEMICON Taiwan 2026公布最新存储路线图，重点为HBM5与zHBM架构。HBM5目标性能较HBM4E翻倍、每瓦性能提升20%、热阻降低20%，基底裸片从4nm转向自研2nm工艺，堆叠层数扩展至12/16/20层，预计2028年量产；zHBM则瞄准8倍性能。此前三星已确认HBM4E引脚速率达16Gbps。