三星公布下一代存储路线图：HBM5性能为HBM4E的2倍，zHBM加速性能提升8倍

📋总体概括

三星在SEMICON Taiwan 2026公布下一代存储路线图：HBM5性能目标为HBM4E的2倍，基础芯片制程升级至2纳米，提供12/16/20层堆叠方案，预计2028年量产；全新zHBM架构性能达HBM4E的8倍，热阻降75%-90%，以应对AI算力对带宽与散热的双重挑战。