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CFET打造更优互连
原标题: CFET打造更优互连
📋总体概括
Semiconductor Engineering发文探讨CFET(互补场效应晶体管,将NMOS与PMOS垂直堆叠的架构)在先进制程中的关键挑战:性能优势将取决于材料选择与精确的互连设计。文章指出,CFET作为GAA之后延续尺寸微缩的重要路线,其成败不完全取决于晶体管本身,而是中端互连和接触方案的精细程度决定了最终收益。
⚡关键信息
- ▸CFET将NMOS与PMOS垂直堆叠,被视为GAA之后延续逻辑微缩的关键架构
- ▸文章核心观点:CFET性能优势取决于材料选择与精确的互连决策
- ▸垂直堆叠使接触与互连难度显著上升,中端(middle-of-line)方案成为决定因素
- ▸CFET工艺集成尚处研发阶段,量产仍需解决热预算与对准等工程问题
🔥犀利点评
这标题起得很聪明,把CFET的叙事从「晶体管革命」拉回「互连工程」。行业里喊CFET喊了几年,画架构图谁都会,真正的坑全在堆叠之后怎么把电流引出来,N/P管挨得越近,寄生和隔离越难搞。说白了,2nm之后芯片好坏不再是晶体管设计者的独角戏,而是材料和互连工程师的主场。谁先把中端方案做稳,谁就先拿到微缩的入场券。
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