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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储
📋总体概括
北方华创在IEEE期刊发表论文，宣布针对硅/硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构，开发出「刻蚀+清理」两步循环刻蚀工艺：先用电中性氟自由基定点刻蚀硅锗层，再引入反应气体清除底部副产物，保障气体垂直穿透，实现超过500:1的硅锗刻蚀选择性，攻克高深宽比横向刻蚀难题。该路线减少对先进光刻的依赖，有望帮助长鑫存储在EUV禁运下推进3D DRAM自主量产，是国产设备厂商以工艺创新绕开光刻瓶颈的重要信号。
⚡关键信息
- ▸北方华创在IEEE期刊发表成果，针对64层硅/硅锗交替堆叠的3D DRAM结构开发新刻蚀工艺
- ▸两步循环刻蚀分「刻」与「清」两阶段：电中性氟自由基定点刻蚀后，再清理底部副产物保证纵深穿透
- ▸工艺实现超过500:1的硅锗刻蚀选择性，缓解硅骨架受损和多层刻蚀不均等行业难题
- ▸3D DRAM通过三维垂直堆叠晶体管提升密度，是DRAM技术演进下一阶段
- ▸在EUV对华出口管制收紧背景下，该路线为存储产业提供绕开光刻壁垒的自主量产路径
🔥犀利点评
先把期待值摁一摁：论文数据到量产之间隔着良率、成本和设备稳定性三座大山，500:1选择性是实验室亮点而非产线承诺。但方向判断是对的——3D DRAM本质是「把微缩难题从光刻转移到刻蚀」，而刻蚀恰恰是北方华创的强项，也是国产设备里最不需要仰人鼻息的环节。长鑫若真走这条堆叠换节距的路，逻辑芯片绕不开的光刻之困在存储上确实有解，这才是这篇论文真正值钱的地方。
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