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北方华创宣布DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储！
📋总体概括
国产半导体设备龙头北方华创宣布在DRAM刻蚀领域取得技术突破，宣称无需EUV光刻设备即可支撑先进制程存储器制造。存储器制造对光刻分辨率要求低于逻辑芯片，刻蚀等关键工艺设备在其中承担更重的角色，这一进展若获量产验证，将缓解国内存储厂商在EUV禁运下的扩产瓶颈，强化国产设备在存储供应链中的地位。
⚡关键信息
- ▸北方华创宣布DRAM刻蚀技术取得突破，为国产设备在存储领域的重要进展
- ▸宣称不依赖EUV光刻也能实现先进DRAM制造，绕开光刻环节最大短板
- ▸DRAM结构与逻辑芯片不同，刻蚀类工艺在存储制造中的占比和难度更高
- ▸在EUV对华禁运背景下，此突破对国内存储厂商扩产具有供应链意义
- ▸技术突破能否转化为良率与量产验证，仍是后续关键观察点
🔥犀利点评
先泼盆冷水：DRM—不对，DRAM确实不太需要EUV，美光、三星的1z/1αnm DRAM用的也是ArFi多重曝光，所以「没有EUV造先进存储」本就是行业常态，标题颇具营销味。真正的看点是刻蚀环节替代Lam、TEL的国产化进度——这如果属实，含金量在设备订单而非「颠覆光刻」的叙事。等长存长鑫的产线验证和良率数据再欢呼不迟。
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