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备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
📋总体概括
据韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第6代10nm级DRAM工艺1c nm的产能占比将从2026Q1的10%逐季爬升至2027Q1的35%，届时超越1b nm的33%成为其第一大DRAM制程。由于海力士的HBM4E将改用1c nm DRAM裸片（HBM4仍用1b nm），提前扩张1c产能是为HBM4向HBM4E世代切换铺路。同期业内预计2026Q2末三星、美光的同代制程产能占比仅分别为16%和19%，海力士转换速度领先。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c nm产能占比从2026Q1的10%逐季升至2027Q1的35%，届时超越1b nm的33%成为第一大DRAM工艺
- ▸HBM4仍采用1b nm DRAM裸片，HBM4E将升级至1c nm，充足产能可保障HBM世代切换平滑过渡
- ▸业内预计2026Q2末三星和美光第6代10nm级DRAM产能占比分别仅16%和19%，落后于海力士
- ▸海力士从1b到1c只用了约一年就完成主力工艺交叉，节奏明显快于同行
🔥犀利点评
HBM的竞争本质是DRAM工艺节点的竞争，海力士把1c产能爬坡时间表精确卡在HBM4E放量前夜，这不是巧合而是刻意规划。三星和美光2026Q2末同代产能不到20%，差距至少一个身位——HBM份额榜首之争，大概率还是海力士的天下。剩下的悬念只有英伟达对HBM4E的定价和认证节奏了。
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